Настоящий стандарт СЭВ распространяется на интегральные цифровые микросхемы серии ТТЛ типов К155ЛА2, К155ЛА3, К155ТМ2, предназначенные для работы в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Настоящий стандарт устанавливает конкретные технические требования, правила приемки и методы испытаний интегральных микросхем типов К155ЛА2, К155ЛА3, К155ТМ2.

1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.1. Термины и определения понятий даны в соответствии с п. 1.1 СТ СЭВ 299-76 и СТ СЭВ ...^*.

^* См. информационное приложение 1.

1.2. Типы микросхем и их функциональное назначение приведены в табл. 1.

Таблица 1

1.3. Условное обозначение микросхем при заказе должно состоять из слова «микросхема», типа микросхемы и обозначения настоящего стандарта:

Микросхема К155ЛА2 СТ СЭВ 505-77

2. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

2.1. Требования к конструкции

2.1.1. Размеры микросхемы должны соответствовать СТ СЭВ ...^* и черт. 1.

^* См. информационное приложение 1.

Корпус. Основные размеры

1. А - длина вывода, обеспечивающая гарантийный зазор между плоскостью основания микросхемы и установочной плоскостью.

2. Нумерация выводов показана условно.

3. Корпус с теплорастекателем.

4. Зона ключа - место для выполнения знака ключа.

Черт. 1

2.1.2. Поверхность микросхемы не должна иметь трещин, раковин и других неровностей, нарушающих габаритные размеры, приводящих к потере работоспособности и ухудшающих надежность микросхемы. Покрытие выводов не должно иметь пузырьков и следов коррозии, приводящих к ухудшению обслуживания выводов.

2.1.3. Масса микросхем не должна превышать 1 г.

2.1.4. Микросхемы не имеют внутренних полостей. Требования к герметичности не предъявляются.

2.1.5. Выводы микросхем должны быть механически прочными и выдерживать без повреждений воздействия механических факторов, возникающих при монтаже аппаратуры.

2.1.6. Выводы микросхем должны обеспечивать возможность их пайки при следующих условиях:

минимальной температуре 508 ± 5 К (235 ± 5 °С);

максимальной температуре 543 ± 10 К (270 ± 10 °С);

времени пайки от 2 до 3 с.

2.1.7. Микросхемы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при следующих условиях:

температуре пайки 533 ± 5 К (260 ± 5 °С) при времени лайки не более 8 с;

расстоянии от плоскости основания корпуса до места пайки (по длине выводов) не менее 1,5 мм.

2.1.8. Назначение выводов указано на электрических схемах микросхем^*.

^* См информационные приложения 2 - 4.

2.2. Требования к электрическим параметрам и режимам

2.2.1. Основные электрические параметры микросхем и режимы их измерения приведены в табл. 2

2.2.2. Вспомогательные электрические параметры микросхем и режимы их измерения приведены в табл. 3.

2.2.3. Предельно допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации микросхем приведены в табл. 4.

2.3. Требования к устойчивости при механических воздействиях

2.3.1. Микросхемы должны быть механически прочными и сохранять свои параметры после воздействия на них ударной тряски при максимальном ускорении 735 м/с².

2.4. Требования к устойчивости при климатических воздействиях

2.4.1. Микросхемы должны быть устойчивыми к воздействию климатических факторов:

сухое тепло:

верхнее значение 343 К (70 °С);

холод:

нижнее значение 263 К (-10 °С);

смена температур от 263 до 343 К (от -10 до +70 °С);

влажное тепло (постоянный режим с относительной влажностью без конденсации влаги)  % при 313 ± 2 К (40 ± 2 °С)

Таблица 2

Примечание. Знак «-» перед значениями норм токов I_IL, I_OS или токов, задаваемых в виде режимных при измерении параметров U_D, U_ОН (см. табл. 2, 3, 6 - 8), означает направление тока, вытекающего из вывода микросхемы.

2.5. Дополнительные требования

2.5.1. Микросхемы должны быть устойчивыми к воздействию следующих факторов:

удара с ускорением 1470 м/с²;

пребывания при температуре 223 К (-50 °С);

пониженного атмосферного давления 660 Па при 298 К (25 °С);

повышенного атмосферного давления 297200 Па.

Таблица 3

^* См. примечание к табл. 2.

Таблица 4

^* Нормы электрических параметров в процессе воздействия данного напряжения питания не регламентируются.

^** Нормы динамических параметров не регламентируются.

2.6. Требования к надежности

2.6.1. Значение интенсивности отказов при испытаниях на надежность для доверительной вероятности 0,6 не выше 3,6 · 10^-5 1/ч.

2.7. Требования к маркировке

2.7.1. На каждой микросхеме должны быть нанесены:

товарный знак поставщика;

обозначение типа;

дата изготовления (месяц, две последние цифры года);

зона ключа первого вывода (см. черт. 1).

2.7.2. Маркировка на микросхемах должна быть разборчивой и прочной.

2.8. Требования к упаковке

2.8.1. Требования к упаковке - по СТ СЭВ 299-76, пп. 2.8.1, 2.8.2.

3. ПРАВИЛА ПРИЕМКИ

3.1. Общие правила приемки - по СТ СЭВ 299-76, пп. 3.1, 3.2.1, 3.2.3, 3.2.4, 3.2.5, 3.3.1, 3.3.2, 3.3.4, 3.3.6, 3.3.9.

3.2. Для проверки соответствия микросхем требованиям настоящего стандарта проводят:

приемо-сдаточные испытания (контроль по партиям) - С;

периодические испытания (периодический контроль) - П;

дополнительные испытания - Д.

3.3. Приемо-сдаточные испытания

3.3.1. Группы и виды приемо-сдаточных испытаний приведены в табл. 5.

В табл. 5 обозначение группы приемо-сдаточных испытаний состоит из комбинации буквы С, обозначающей принадлежность к данной категории испытаний, и цифры, обозначающей группу испытаний в соответствии с табл. 3 СТ СЭВ 299-76.

3.3.2. Планы и порядок проведения контроля качества для приемо-сдаточных испытаний - по СТ СЭВ ...^* для одноступенчатого общего уровня контроля.

3.4. Периодические испытания

3.4.1. Группы и виды периодических испытаний приведены в табл. 5.

В табл. 5 обозначение группы периодических испытаний состоит из комбинации буквы П, обозначающей принадлежность к данной категории испытаний, и цифры, обозначающей группу испытаний в соответствии с табл. 4 СТ СЭВ 299-76.

Планы контроля периодических испытаний - по СТ СЭВ ...^* для одноступенчатого нормального контроля.

* См. информационное приложение 1.

Испытания на герметичность, синусоидальную вибрацию, ускорение (постоянный режим) не проводят, так как микросхемы не имеют внутренней полости.

Проверку прочности выводов на отдельной выборке по группе П-1 не проводят.

При непрерывном цикле испытаний допускается совмещать проверку электрических параметров перед каким-либо испытанием с такой же проверкой после предшествовавшего испытания.

3.4.2. Микросхемы, подвергшиеся испытаниям по группам П-1, П-2, П-3, если они удовлетворяют требованиям СТ СЭВ 299-76 и настоящего стандарта, могут поставляться потребителю.

3.5. Испытания на дополнительные требования по п. 2.5

3.5.1. Испытания на соответствие дополнительным требованиям проводят один раз до начала выпуска микросхем.

3.5.2. Группы и виды испытаний на соответствие дополнительным требованиям приведены в табл. 5.

В табл. 5 обозначение группы испытаний на соответствие дополнительным требованиям состоит из комбинации буквы Д, обозначающей принадлежность к данной группе испытаний, и цифры, обозначающей порядковый номер группы испытаний.

Таблица 5

3.5.3. Планы контроля при испытаниях на соответствие дополнительным требованиям - по СТ СЭВ ...^* для одноступенчатого нормального контроля.

В случае отрицательных результатов проводят повторные испытания по планам контроля в соответствии с СТ СЭВ ...^* для ужесточенного одноступенчатого контроля.

Число отобранных микросхем должно быть достаточным для проведения первичных и повторных испытаний.

Объем выборки устанавливает ОТК изготовителя независимо от объема производства согласно СТ СЭВ ...^*.

^* См. информационное приложение 1.

4. МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ

4.1. Все испытания при нормальных климатических условиях проводят по СТ СЭВ ...^*. Измерение электрических параметров при нормальных климатических условиях проводят при температуре 298 ± 5 К (25 ± 5 °С).

^* См. информационное приложение 1.

Перед измерением параметров (до и после испытаний) микросхемы выдерживают в нормальных климатических условиях 2 ч.

Электрические параметры микросхем (критерии годности), измеряемые до, в процессе и после окончания определенного вида испытаний, приведены в табл. 5.

4.1.1. При испытаниях в электрическом режиме максимальная погрешность установки режимов по току и напряжению ± 5 %.

При измерении динамических параметров для исключения паразитной генерации из-за наводок и связей в цепях все проводники должны быть тщательно экранированы. Развязывающие конденсаторы допускается подключать к выводам микросхем.

При измерении статических параметров допускается подключать развязывающие конденсаторы в непосредственной близости от выводов микросхем.

4.1.2. При испытаниях на климатические и механические воздействия испытательная оснастка, приспособления, кабельные присоединения и т.п., входящие в качестве элементов электрических цепей в схемы измерения электрических параметров, не должны приводить к изменению режима измерения и влиять на измеряемую величину параметра.

4.1.3. При механических и климатических испытаниях с воздействиями ударов, с длительным воздействием повышенной влажности, при испытаниях на надежность микросхемы могут быть припаяны к печатной плате, которую затем крепят к приспособлению для проведения испытаний и устанавливают в испытательной камере или на испытательный стенд, принимая меры, исключающие возможность нарушений микросхем.

Печатная плата должна быть жесткой и обеспечивать полную передачу нагрузок на испытываемые микросхемы без искажения и с минимальными потерями; резонансные явления должны быть исключены.

При остальных видах испытаний микросхемы испытывают в россыпи и укладывают в испытательную камеру или на испытательный стенд таким образом, чтобы микросхемы не касались друг друга.

4.2. Проверка на соответствие требованиям к конструкции

4.2.1. Основные размеры по п. 2.1.1 проверяют с помощью мерительных инструментов или других приспособлений, обеспечивающих требуемую точность, и в соответствии с черт. 1.

4.2.2. Внешний вид и правильность маркировки микросхем по пп. 2.1.2 и 2.7.1 проверяют внешним осмотром и сличением с черт. 1.

Микросхемы считают выдержавшими испытания, если их внешний вид соответствует требованиям п. 2.1.2, а маркировка выполнена в соответствии с п. 2.7.1.

4.2.3. Массу микросхем по п. 2.1.3 проверяют взвешиванием с точностью ±5 % или как среднюю массу 10 микросхем.

Микросхемы считают выдержавшими испытания, если их масса не превышает величины, указанной в п. 2.1.3.

4.2.4. Механическую прочность выводов по п. 2.1.5 совмещают с проверкой на соответствие требованиям к устойчивости при механических воздействиях по п. 4.4.

Микросхемы считают выдержавшими испытания, если после механических воздействий при внешнем осмотре нарушения конструкции не соблюдается.

4.2.5. Проверку способности выводов к пайке по п. 2.1.6 проводят по СТ СЭВ ...^* и настоящему стандарту при температуре припоя 508 ± 5 К (235 ± 5 °С).

Испытания на неповреждаемость микросхем при пайке по п. 2.1.7 проводят по СТ СЭВ ...^* при температуре 533 ± 5 К (260 ± 5 °С).

^* См. информационное приложение 1.

Микросхемы считают выдержавшими испытания, если растекшийся припой покрывает не менее 90 % поверхности каждого вывода, подвергшегося облуживанию, и параметры микросхемы, проверяемые после проверки на неповреждаемость при пайке, остались в пределах норм приемо-сдаточных испытаний.

4.3. Проверка на соответствие требованиям к электрическим параметрам

Схема измерения входного тока низкого уровня I_IL для микросхем типов К155ЛА2, К155ЛА3

U_cc - источник питающего напряжения; G1, G2 - источники постоянного напряжения; РА - измеритель постоянного тока; X_i - X_n - входы микросхемы; Y₁ - Y_n - выходы микросхемы.

Измерение входного тока низкого уровня I_IL производят при подаче тестовых напряжений согласно табл. 6, 7

Черт. 2

4.3.1. Электрические параметры микросхем по пп. 2.2.1 и 2.2.2 проверяют измерениями в режимах и условиях, указанных в табл. 6 - 8 на соответствие нормам электрических параметров по схемам и методам, приведенным на черт. 2 - 20 в соответствии с СТ СЭВ ...^*:

измерение входного тока низкого уровня I_IL по черт. 2, 12;

измерение входного тока высокого уровня I_IH по черт. 4, 13;

измерение входного пробивного тока I_{вх.проб} по черт. 4, 13;

измерение выходного напряжения низкого уровня U_ol по черт. 3, 14;

измерение выходного напряжения высокого уровня U_oh по черт. 5, 14;

измерение выходного тока короткого замыкания U_os по черт. 7, 15;

напряжение блокировки антизвонных входных диодов U_d по черт. 6;

измерение токов потребления I_ccl, I_cch, I_CC по черт. 10, 11, 20;

измерение времени задержки распространения t_pHL, t_pLH по черт. 8, 9, 16 - 19.

^* Cм. информационное приложение 1.

Схема измерения выходного напряжения низкого уровня U_OL для микросхем типов К155ЛА2, К155ЛА3

U_CC - источник питающего напряжения; G1 - источник постоянного напряжения; G2 - генератор постоянного тока; PU1, PU2 - измерители постоянного напряжения; РА - измеритель постоянного тока; Х₁ - Х_п - входы измеряемой части микросхемы; Х_m - X_k - входы неизмеряемой части микросхемы; Y₁, ... n - выходы микросхемы.

Измерение выходного напряжения низкого уровня U_OL производят при подаче тестовых напряжений и токов согласно табл. 6, 7.

Черт. 3

Таблица 6

^* См. примечание к табл. 2.

Таблица 7

^* См. примечание к табл. 2.

Примечание. Измерение параметров U_OL и U_OH у микросхем К155ЛА3 допускается проводить при подаче на входы неконтролируемых логических элементов напряжения 0 В.

Таблица 8

^* См. примечание к табл. 2.

^** Перед испытанием вывод заземлить, а потом подавать испытательное напряжение.