МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
|
УСТРОЙСТВА ЦИФРОВЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ Термины и определения Memories of digital computers. Terms and definitions |
ГОСТ |
Дата введения 01.01.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.
Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов - синонимов стандартизованного термина не допускается.
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
Стандарт следует применять совместно с ГОСТ 19480 и ГОСТ 13699.
В стандарте в качестве справочных приведены эквиваленты терминов на английском языке.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском и английском языках.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.
|
Определение |
|
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ |
|
|
1. Запоминающее устройство ЗУ Storage unit |
По ГОСТ 15971 |
|
2. Запоминающий элемент Storage element |
Часть запоминающего устройства, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных |
|
3. Ячейка запоминающего устройства Ячейка ЗУ Storage cell |
Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти |
|
4. Содержимое запоминающего устройства Storage content |
Данные, хранящиеся в запоминающем устройстве |
|
ВИДЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
|
|
5. Оперативное запоминающее устройство ОЗУ Random access memory RAM |
Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций |
|
6. Постоянное запоминающее устройство ПЗУ Read-only memory ROM |
Запоминающее устройство, из которого может производиться только считывание данных |
|
7. Программируемое постоянное запоминающее устройство ППЗУ Programmed read-only memory PROM |
Постоянное запоминающее устройство, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного или светового воздействия на запоминающие элементы по заданной программе |
|
8. Внешнее запоминающее устройство ВЗУ External storage |
Запоминающее устройство, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения большого объема данных |
|
9. Запоминающее устройство на магнитных сердечниках ЗУМС Magnetic core film fmemory |
- |
|
10. Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках ЗУМП Magnetic thin film memory |
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку |
|
11. Индуктивное запоминающее устройство Inductor memory |
Запоминающее устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды |
|
12. Оптоэлектронное запоминающее устройство Optoelectronic memory |
Запоминающее устройство, в котором используются свойства светового луча изменять физические состояния запоминающей среды |
|
13. Криогенное запоминающее устройство Cryogenic memory |
Запоминающее устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких температурах |
|
14. Полупроводниковое запоминающее устройство Semiconductor memory |
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой являются полупроводниковые элементы |
|
15. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках ЗУЦМП Plated wire memory |
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкая магнитная пленка, нанесенная на поверхность проволоки |
|
16. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах Magnetic domain device |
Запоминающее устройство, в котором запоминающими элементами являются цилиндрические магнитные домены в пластинах ортоферритов |
|
17. Конденсаторное запоминающее устройство Capacitor memory |
Запоминающее устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды |
|
18. Статическое запоминающее устройство Static memory |
Запоминающее устройство без регенерации данных при хранении |
|
19. Динамическое запоминающее устройство Dynamic memory |
Запоминающее устройство с регенерацией данных при хранении |
|
20. Энергонезависимое запоминающее устройство Nonvolatile memory |
Запоминающее устройство, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании |
|
21. Энергозависимое запоминающее устройство Volatile memory |
Запоминающее устройство, содержимое которого не сохраняется при отключенном электропитании |
|
СПОСОБЫ ДОСТУПА К ДАННЫМ, ЗАПИСАННЫМ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ |
|
|
22. Произвольный доступ к данным Random access |
Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в любой последовательности |
|
23. Последовательный доступ к данным Sequential access |
Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в определенной последовательности |
|
24. Ассоциативный доступ к данным Associative access |
Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в соответствии с признаками хранимых в них данных |
|
25. Системный доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках Core (ferrite) memory organization |
Способ доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или адресно-разрядных токов. Примечание. Различают системы 2Д, 21/2Д, 3Д |
|
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
|
|
26. Информационная емкость запоминающего устройства Емкость Capacity |
Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве |
|
27. Цикл обращения к запоминающему устройству Access cycle |
Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства |
|
28. Время выборки данных Access time |
Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства |
|
29. Время хранения данных Storage time |
Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации |
|
30. Скорость передачи данных из (в) запоминающего (ее) устройства (о) Data transfer speed |
Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени |
|
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
|
|
31. Запись данных Write |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется занесение данных в запоминающее устройство |
|
32. Считывание данных Read |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется получение данных из запоминающего устройства |
|
33. Считывание данных с разрушением Destructive read |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, вызывающее их стирание |
|
34. Считывание данных без разрушения Non-destructive read NDR |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, не вызывающее их стирание |
|
35. Регенерация данных Refresh |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется перезапись хранящихся данных с целью их сохранения |
|
36. Хранение данных Holding |
Режим работы запоминающего устройства после записи или регенерации данных, обеспечивающий возможность их последующего считывания в произвольный момент времени |
|
ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
|
|
37. Узел выборки адреса Adress unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для реализации доступа к запоминающей ячейке путем преобразования кода адреса в соответствующие ему сигналы на входе запоминающего узла |
|
38. Запоминающий узел Memory unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для непосредственного хранения данных |
|
39. Узел считывания данных Sensing unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования локальных физических состояний запоминающей среды в электрические сигналы |
|
40. Узел записи данных Writing unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования электрических сигналов в локальные физические состояния запоминающей среды |
|
ТЕСТЫ КОНТРОЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
|
|
41. Статический тест контроля запоминающего устройства Static test |
Режим проверки запоминающего устройства, при котором первоначально записанные данные не меняются |
|
42. Тест «Тяжелый код» контроля запоминающего устройства |
Статический тест контроля запоминающего устройства, позволяющий получить максимальный сигнал помехи считанного нуля |
|
43. Динамический тест контроля запоминающего устройства Dynamic test |
Режим проверки запоминающего устройства, при котором записываемые данные с каждым циклом обращения меняются |
|
44. Тест «Дождь» контроля запоминающего устройства |
Динамический тест контроля запоминающего устройства, в котором записываемая информация определяется состоянием двоичного счетчика считанных единиц |
(Измененная редакция, Изм. № 1).
|
Время выборки данных |
|
|
Время хранения данных |
|
|
Доступ к данным ассоциативный |
|
|
Доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках системный |
|
|
Доступ к данным последовательный |
|
|
Доступ к данным произвольный |
|
|
Емкость |
|
|
Емкость запоминающего устройства информационная |
|
|
Запись данных |
|
|
ЗУ |
|
|
ЗУМП |
|
|
ЗУМС |
|
|
ЗУЦМП |
|
|
ОЗУ |
|
|
ПЗУ |
|
|
ППЗУ |
|
|
Регенерация данных |
|
|
Скорость передачи данных из (в) запоминающего (ее) устройства (о) |
|
|
Скорость передачи данных из запоминающего устройства |
|
|
Содержимое запоминающего устройства |
|
|
Считывание данных |
|
|
Считывание данных без разрушения |
|
|
Считывание данных с разрушением |
|
|
Тест «Дождь» контроля запоминающего устройства |
|
|
Тест контроля запоминающего устройства динамический |
|
|
Тест контроля запоминающего устройства статический |
|
|
Тест «Тяжелый код» контроля запоминающего устройства |
|
|
Узел выборки адреса |
|
|
Узел записи данных |
|
|
Узел запоминающий |
|
|
Узел считывания данных |
|
|
Устройство запоминающее |
|
|
Устройство запоминающее внешнее |
|
|
Устройство запоминающее динамическое |
|
|
Устройство запоминающее индуктивное |
|
|
Устройство запоминающее конденсаторное |
|
|
Устройство запоминающее криогенное |
|
|
Устройство запоминающее оперативное |
|
|
Устройство запоминающее оптоэлектронное |
|
|
Устройство запоминающее полупроводниковое |
|
|
Устройство запоминающее постоянное |
|
|
Устройство запоминающее постоянное программируемое |
|
|
Устройство запоминающее статическое |
|
|
Устройство запоминающее энергозависимое |
|
|
Устройство запоминающее энергонезависимое |
|
|
Устройство на магнитных сердечниках запоминающее |
|
|
Устройство на тонких магнитных пленках запоминающее |
|
|
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее |
|
|
Устройство на цилиндрических магнитных пленках запоминающее |
|
|
Хранение данных |
|
|
Цикл обращения к запоминающему устройству |
|
|
Элемент запоминающий |
|
|
Ячейка запоминающего устройства |
|
|
Ячейка ЗУ |
|
Access time |
|
|
Adress unit |
|
|
Associative access |
|
|
Capacitor memory |
|
|
Capacity |
|
|
Core (ferrite) memory organization |
|
|
Cryogenic memory |
|
|
Datatransfer speed |
|
|
Destructive read |
|
|
Dynamic memory |
|
|
Dynamic test |
|
|
External storage |
|
|
Holding |
|
|
Inductor memory |
|
|
Magnetic core memory |
|
|
Magnetic domain device |
|
|
Magnetic thin film memory |
|
|
Memory unit |
|
|
NDR |
|
|
Non-destructive read |
|
|
Nonvolatile memory |
|
|
Optoelectronic memory |
|
|
Plated wire memory |
|
|
Programmed read-only memory |
|
|
PROM |
|
|
RAM |
|
|
Random access |
|
|
Random access memory |
|
|
Read |
|
|
Read-only memory |
|
|
Refresh |
|
|
ROM |
|
|
Semiconductor memory |
|
|
Sensing unit |
|
|
Sequential access |
|
|
Static memory |
|
|
Static test |
|
|
Storage cell |
|
|
Storage content |
|
|
Storage element |
|
|
Storage time |
|
|
Storage unit |
|
|
Volatile memory |
|
|
Write |
|
|
Writing unit |
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29.10.82 № 4124
2. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
3. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
|
Номер пункта |
|
|
Вводная часть |
|
|
Вводная часть |
4. ИЗДАНИЕ с Изменением № 1, утвержденным в октябре 1985 г. (ИУС 1-86)
СОДЕРЖАНИЕ