МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Термины и определения Semiconductor materials. |
ГОСТ |
Издание с Изменением № 1, утвержденным в мае 1982 г. (ИУС 9-82)
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 18 июля 1977 г. № 1755 дата введения установлена
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
В стандарте приведен алфавитный указатель содержащихся в нем терминов на русском языке.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
В стандарте приведено приложение, содержащее общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам.
Определение |
|
1. Проводниковый материал |
Материал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств |
2. Полупроводник |
По ГОСТ 19880-74* |
____________ * На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002-2003 (здесь и далее). |
|
ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ |
|
3. Простой полупроводник |
Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента |
4. Сложный полупроводник |
Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов |
5. Электронный полупроводник |
Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости |
6. Дырочный полупроводник |
Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости |
7. Примесный полупроводник |
Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями |
8. Собственный полупроводник |
Полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность |
9. Вырожденный полупроводник |
Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ |
10. Невырожденный полупроводник |
Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ |
11. Частично компенсированный полупроводник |
Примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей |
12. Скомпенсированный полупроводник |
Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы |
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ |
|
13. Носитель заряда |
|
14. Дырка проводимости Дырка |
Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона |
15. Основные носители заряда полупроводника Основные носители |
Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает |
16. Неосновные носители заряда полупроводника Неосновные носители |
Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда |
17. Равновесные носители заряда полупроводника Равновесные носители Ндп. Тепловые носители |
Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия |
18. Неравновесные носители заряда полупроводника Неравновесные носители |
Носители заряда полупроводника, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергетическому распределению |
19. Горячие носители заряда |
Неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки |
20. Электронная электропроводность полупроводника Электронная электропроводность Ндп. Электронная проводимость |
Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости |
21. Дырочная электропроводность Ндп. Дырочная проводимость |
Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости |
22. Собственная электропроводность Ндп. Собственная проводимость |
Электропроводность полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости при любом способе возбуждения |
23. Примесная электропроводность полупроводника Примесная электропроводность |
Электропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акцепторной примесей при любом способе возбуждения |
24. Фотопроводимость |
Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторезистивным эффектом |
25. Собственная концентрация носителей заряда полупроводника Собственная концентрация |
Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике |
26. Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника Равновесная концентрация |
Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия |
27. Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника Неравновесная концентрация |
Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной |
28. Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация |
Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда |
29. Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов |
Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости |
30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок |
Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны |
31. Эффективная масса носителя заряда полупроводника Эффективная масса носителя заряда |
Величина, имеющая размерность массы и характеризующая движение носителя заряда в полупроводнике под действием внешнего электромагнитного поля |
32. Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводника Эффективное сечение захвата |
Величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата |
33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника Диффузионная длина |
Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз |
34. Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Объемное время жизни |
Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника |
35. Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Поверхностное время жизни |
Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности |
36. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Эффективное время жизни |
Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника |
37. Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника Длина дрейфа |
Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации |
38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации |
Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности |
39. Энергия активации примесей полупроводника Энергия активации |
Минимальная энергия возбуждения примесного атома, необходимая для создания примесной электропроводности полупроводника |
40. Концентрация вырождения полупроводника Концентрация вырождения |
Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре |
41. Степень компенсации полупроводника Степень компенсации |
Отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника |
42. Инверсионный слой полупроводника Инверсионный слой |
Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев |
ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ |
|
43. Освобождение носителя заряда полупроводника Освобождение носителя |
Возникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника |
44. Захват носителя заряда полупроводника Захват носителя |
Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника |
45. Инжекция носителей заряда Инжекция |
Введение носителя заряда в полупроводник |
46. Экстракция носителей заряда Экстракция |
Выведение носителя заряда из полупроводника |
47. Генерация носителей заряда полупроводника Генерация |
Процесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом |
48. Генерация пары носителей заряда Генерация пары |
Возникновение в полупроводнике пары электрон проводимости - дырка проводимости в результате энергетического воздействия |
49. Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника Монополярная световая генерация |
Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака |
50. Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника Биполярная световая генерация |
Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков |
51. Рекомбинация носителей заряда полупроводника Рекомбинация |
Нейтрализация пары электрон проводимости - дырка проводимости |
52. Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника Межзонная рекомбинация Ндп. Прямая рекомбинация |
Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону |
53. Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника Фотонная рекомбинация |
Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождаемая выделением фотона |
54. Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника Фотонная рекомбинация |
Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке |
55. Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника Поверхностная рекомбинация |
Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника |
56. Диффузионный ток |
Направленное движение зарядов в полупроводнике, возникающее вследствие градиента концентрации носителей заряда |
57. Дрейфовый ток |
Направленное движение носителей заряда в полупроводнике, вызванное градиентом потенциала электрического поля |
58. Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника Биполярная диффузия |
Совместная диффузия неравновесных электронов и дырок при наличии электрического поля |
59. Прямой переход в полупроводнике Прямой переход Ндп. Вертикальный переход |
Переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора |
ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ |
|
60. Фоторезистивный эффект |
Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием |
61. Кристалл-фотоэффект |
Возникновение электрического поля в однородном неравномерно освещенном полупроводнике |
62. Эффект поля в полупроводнике Эффект поля |
Изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля |
63. Фотомагнитоэлектрический эффект |
Возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения |
64. Термомагнитный эффект Ндп. Эффект Риги-Ледюка |
Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольного градиента температур и при воздействии поперечного магнитного поля |
65. Электротермический эффект Ндп. Эффект Томсона |
Выделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник |
66. Термогальванический эффект Ндп. Эффект Нернста-Эттингсхаузена |
Возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля |
67. Поперечный термогальваномагнитный эффект Ндп. Эффект Эттингсхаузена |
Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля |
68. Продольный термогальваномагнитный эффект Эффект Нернста |
Возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля |
69. Магниторезистивный эффект |
Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля |
70. Эффект Холла |
Возникновение поперечного электрического поля при протекании электрического тока через полупроводник, помещенный в магнитное поле |
71. Эффект Ганна |
Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля |
ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ |
|
72. Энергетическая зона полупроводника Энергетическая зона |
Область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника |
73. Разрешенная зона полупроводника Разрешенная зона |
Энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла |
74. Запрещенная зона полупроводника Запрещенная зона |
Область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике |
75. Свободная зона полупроводника |
Разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры |
76. Зона проводимости полупроводника Зона проводимости |
Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости |
77. Заполненная зона полупроводника Заполненная зона |
Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами |
78. Валентная зона полупроводника Валентная зона |
Верхняя из заполненных зон полупроводника |
79. Ширина запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны |
Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника |
80. Локальный энергетический уровень полупроводника Локальный уровень |
Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь |
81. Примесный уровень полупроводника Примесный уровень |
Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью |
82. Демаркационный уровень полупроводника Демаркационный уровень |
Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны |
83. Примесная зона полупроводника Примесная зона |
Энергетическая зона, образованная при взаимодействии примесей совокупностью примесных уровней, находящихся в запрещенной зоне полупроводника |
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника объемное |
|
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника поверхностное |
|
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника эффективное |
|
Время жизни объемное |
|
Время жизни поверхностное |
|
Время жизни эффективное |
|
Генерация |
|
Генерация носителей заряда полупроводника |
|
Генерация носителей заряда полупроводника световая биполярная |
|
Генерация носителей заряда полупроводника световая монополярная |
|
Генерация пары |
|
Генерация пары носителей заряда |
|
Генерация световая биполярная |
|
Генерация световая монополярная |
|
Диффузия биполярная |
|
Диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника биполярная |
|
Длина диффузионная |
|
Длина дрейфа |
|
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника |
|
Длина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная |
|
Дырка |
|
Дырка проводимости |
|
Захват носителя |
|
Захват носителя заряда полупроводника |
|
Зона валентная |
|
Зона заполненная |
|
Зона запрещенная |
|
Зона полупроводника валентная |
|
Зона полупроводника заполненная |
|
Зона полупроводника запрещенная |
|
Зона полупроводника примесная |
|
Зона полупроводника разрешенная |
|
Зона полупроводника свободная |
|
Зона полупроводника энергетическая |
|
Зона примесная |
|
Зона проводимости |
|
Зона проводимости полупроводника |
|
Зона разрешенная |
|
Зона свободная |
|
Зона энергетическая |
|
Инжекция |
|
Инжекция носителей заряда |
|
Концентрация вырождения |
|
Концентрация вырождения полупроводника |
|
Концентрация дырок критическая |
|
Концентрация дырок проводимости полупроводника критическая |
|
Концентрация избыточная |
|
Концентрация неравновесная |
|
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника |
|
Концентрация носителей заряда полупроводника избыточная |
|
Концентрация носителей заряда полупроводника равновесная |
|
Концентрация носителей заряда полупроводника собственная |
|
Концентрация равновесная |
|
Концентрация собственная |
|
Концентрация электронов критическая |
|
Концентрация электронов проводимости полупроводника критическая |
|
Кристалл-фотоэффект |
|
Масса носителя заряда полупроводника эффективная |
|
Масса носителя заряда эффективная |
|
Материал полупроводниковый |
|
Носитель заряда |
|
Носители заряда горячие |
|
Носители заряда полупроводника неосновные |
|
Носители заряда полупроводника неравновесные |
|
Носители заряда полупроводника основные |
|
Носители заряда полупроводника равновесные |
|
Носители неосновные |
|
Носители неравновесные |
|
Носители основные |
|
Носители равновесные |
|
Носители тепловые |
|
Освобождение носителя |
|
Освобождение носителя заряда полупроводника |
|
Переход вертикальный |
|
Переход в полупроводнике прямой |
|
Переход прямой |
|
Полупроводник |
|
Полупроводник вырожденный |
|
Полупроводник дырочный |
|
Полупроводник компенсированный частично |
|
Полупроводник невырожденный |
|
Полупроводник примесный |
|
Полупроводник простой |
|
Полупроводник скомпенсированный |
|
Полупроводник сложный |
|
Полупроводник собственный |
|
Полупроводник электронный |
|
Проводимость дырочная |
|
Проводимость собственная |
|
Проводимость электронная |
|
Рекомбинация |
|
Рекомбинация межзонная |
|
Рекомбинация носителей заряда полупроводника |
|
Рекомбинация носителей заряда полупроводника межзонная |
|
Рекомбинация носителей заряда полупроводника поверхностная |
|
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная |
|
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная |
|
Рекомбинация поверхностная |
|
Рекомбинация прямая |
|
Рекомбинация фотонная |
|
Рекомбинация фотонная |
|
Сечение захвата носителя заряда полупроводника эффективное |
|
Сечение захвата эффективное |
|
Степень компенсации |
|
Степень компенсации полупроводника |
|
Скорость поверхностной рекомбинации |
|
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника |
|
Слой инверсионный |
|
Слой полупроводника инверсионный |
|
Ток диффузионный |
|
Ток дрейфовый |
|
Уровень демаркационный |
|
Уровень локальный |
|
Уровень полупроводника демаркационный |
|
Уровень полупроводника примесный |
|
Уровень полупроводника энергетический локальный |
|
Уровень примесный |
|
Фотопроводимость |
|
Ширина запрещенной зоны |
|
Ширина запрещенной зоны полупроводника |
|
Экстракция |
|
Экстракция носителей заряда |
|
Электропроводность дырочная |
|
Электропроводность полупроводника примесная |
|
Электропроводность полупроводника электронная |
|
Электропроводность примесная |
|
Электропроводность собственная |
|
Электропроводность электронная |
|
Энергия активации |
|
Энергия активации примесей полупроводника |
|
Эффект Ганна |
|
Эффект магниторезистивный |
|
Эффект Нернста |
|
Эффект Нернста-Эттингсхаузена |
|
Эффект поля |
|
Эффект поля в полупроводнике |
|
Эффект Риги-Ледюка |
|
Эффект термогальваномагнитный |
|
Эффект термогальваномагнитный поперечный |
|
Эффект термогальваномагнитный продольный |
|
Эффект термомагнитный |
|
Эффект Томсона |
|
Эффект фотомагнитоэлектрический |
|
Эффект фоторезистивный |
|
Эффект Холла |
|
Эффект электротермический |
|
Эффект Эттингсхаузена |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
(Исключен, Изм. № 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
(Исключен, Изм. № 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
(Исключен, Изм. № 1).
Справочное
Определение |
|
1. Электрон проводимости |
Электрон, создающий электропроводность |
2. Полярон |
Квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации |
3. Экситон |
Квазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости |
4. Дефект решетки |
Нарушение периодичности решетки кристалла |
5. Примесный дефект решетки Примесный дефект |
Дефект решетки, созданный атомом постороннего элемента |
6. Стехиометрический дефект решетки Стехиометрический дефект |
Дефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом |
7. Точечный дефект решетки |
Стехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки |
8. Поверхностный дефект решетки |
Дефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки |
9. Ловушка захвата Ловушка |
Дефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением |
10. Рекомбинационная ловушка Ндп. Центр рекомбинации |
Ловушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда |
11. Акцептор |
Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны |
12. Донор |
Дефект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости |
13. Акцепторная примесь |
Примесь, атомы которой являются акцепторами |
14. Донорная примесь |
Примесь, атомы которой являются донорами |
15. Подвижность носителей заряда Подвижность |
Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего |
16. Среднее время свободного пробега носителя заряда Время пробега |
Среднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда |
17. Средняя длина свободного пробега носителей заряда Длина свободного пробега |
Среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда |
18. Коэффициент диффузии носителей заряда |
Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей |
19. Оптическое возбуждение Ндп. Оптическая накачка |
Генерация неравновесных носителей заряда при оптическом обучении полупроводника |
20. Инверсия населенностей |
Состояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной |
21. Электрическое возбуждение |
Возникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля |
22. Собственное поглощение света Собственное поглощение |
Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости |
23. Экситонное поглощение |
Поглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона |
24. Примесное поглощение |
Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов |
25. Фотоэлектрическое поглощение |
Изменение поглощения оптического излучения в результате смещения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля |
26. Уровень Ферми |
Энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля |
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. № 1).
СОДЕРЖАНИЕ