Обозначение: |  ГОСТ Р 71334-2024 |
Статус: | принят |
Название рус.: | Структуры эпитаксиальные. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире на основе инфракрасной интерференции |
Название англ.: | Epitaxial structures. Мethod for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference |
Дата актуализации текста: | 01.06.2024 |
Дата актуализации описания: | 01.06.2024 |
Дата издания: | 19.04.2024 |
Дата введения: | 01.03.2025 |
Нормативные ссылки: | ГОСТ 12.1.004; ГОСТ 12.2.007.0; ГОСТ 12.2.003; ГОСТ 12.3.019; ГОСТ 427; ГОСТ 33075; ГОСТ Р 8.568; ГОСТ Р ИСО 14644-1 |
Область применения: | Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные структуры, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод интерференции для измерения толщины эпитаксиальных слоев в структурах кремний на сапфире (КНС) |
|
Расположен в: |
|