МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСБОРКИ НА
ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ Термины и определения Bubble memory device. Terms and definitions |
ГОСТ |
Дата введения 01.07.90
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на цилиндрических магнитных доменах.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Настоящий стандарт должен применяться совместно с ГОСТ 19693.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.
2.4. В табл. 1 приведены в качестве справочных буквенные обозначения к ряду терминов.
2.5. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл. 2 - 3.
4. Термины и определения общих понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Определение |
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ |
|
1. Магнитоэлектронное изделие на цилиндрических магнитных доменах Магнитоэлектронное изделие на ЦМД |
Магнитоэлектронное изделие, в котором для хранения и обработки информации используются цилиндрические магнитные домены |
2. Цилиндрический магнитный домен ЦМД Magnetic bubble |
Домен цилиндрической формы, намагниченность которого параллельна и противоположна направлению намагниченности окружающего магнитного материала |
3. Жесткий цилиндрический магнитный домен Жесткий ЦМД Hard bubble |
Цилиндрический магнитный домен, имеющий сложную структуру доменной границы и большую поверхностную плотность энергии границы, более высокое поле коллапса и меньшую подвижность |
4. Несквозной цилиндрический магнитный домен Несквозной ЦМД |
Цилиндрический магнитный домен, доменная граница которого выходит только на одну из поверхностей магнитного слоя или не выходит ни на одну из поверхностей |
5. Информационный цилиндрический магнитный домен Информационный ЦМД |
Цилиндрический магнитный домен, используемый как носитель информации |
6. Неинформационный цилиндрический магнитный домен Неинформационный ЦМД |
Цилиндрический магнитный домен, не используемый как носитель информации |
7. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах ЗУ на ЦМД Bubble memory |
По ГОСТ 25492 |
8. Микросборка на цилиндрических магнитных доменах Микросборка ЦМД Ндп. Микросборка ЗУ ЦМД Bubble memory device |
Конструктивно законченные и неремонтируемые магнитоэлектронные изделия на ЦМД или его составная часть, определяющая назначение и принципы функционирования изделия |
9. ЦМД-накопитель |
Микросборка ЦМД или совокупность микросборок ЦМД и электронное обрамление, обеспечивающие информационную емкость запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах |
10. ЦМД-сигнал Bubble signal |
Двоичный сигнал, представленный наличием или отсутствием цилиндрического магнитного домена |
11. ЦМД-материал Bubble material |
Магнитоодноосный материал, в котором существуют цилиндрические магнитные домены |
12. ЦМД-пластина |
Пластина из ЦМД-материала или пластина, состоящая из немагнитной подложки с выращенным на ней ЦМД-материалом |
13. Монокристаллическая пленка феррита-граната МПФГ Ндп. Доменосодержащая пленка |
ЦМД-материал в виде слоя монокристаллического феррита со структурой граната |
14. Дефект МПФГ |
Дефект поверхности или магнитный дефект монокристаллической пленки феррита-граната |
15. Дефект поверхности МПФГ |
Неоднородность поверхности монокристаллической пленки феррита-граната, видимая в оптический микроскоп при заданных увеличении и апертуре объектива, кроме частиц на поверхности |
16. Магнитный дефект МПФГ |
Область локального изменения свойств монокристаллической пленки феррита-граната, вызванного неоднородностью ее структуры, характеризующаяся локальным увеличением коэрцитивной силы или несанкционированными зарождением, уничтожением или изменением скорости движения ЦМД |
17. Подложка МПФГ |
Немагнитная пластина, на которой выращивается монокристаллическая пленка феррита-граната |
18. Решетка ЦМД |
Упорядоченная совокупность ЦМД в виде правильной плоской решетки |
19. Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД Напряженность поля зарождения |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая зарождению цилиндрического магнитного домена |
20. Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД Напряженность поля коллапса Bubble collaps field intensity |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая исчезновению цилиндрического магнитного домена |
21. Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД Напряженность поля неустойчивости |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая переходу цилиндрического магнитного домена в полосовой домен |
ПАРАМЕТРЫ ЦМД-МАТЕРИАЛА |
|
22. Характеристическая длина ЦМД-материала |
Отношение поверхностной плотности энергии доменной границы к объемной плотности магнитостатической энергии ЦМД-материала |
23. Фактор качества ЦМД-материала Фактор качества |
Отношение напряженности поля одноосной магнитной анизотропии ЦМД-материала к намагниченности технического насыщения |
24. Динамическая коэрцитивная сила |
Параметр, равный критическому значению Hc напряженности внешнего переменного магнитного поля H, при превышении которого амплитуда смещения доменной границы описывается зависимостью X = δ (H - Hc), где δ - константа, не зависящая от H |
25. Скорость насыщения доменной границы |
Скорость доменной границы, существенно не изменяющаяся при увеличении напряженности продвигающего доменную границу поля |
26. Область устойчивости ЦМД Bubble margin |
Параметр, равный разности напряженностей магнитного поля коллапса ЦМД и магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
27. Равновесная ширина полосового домена Strip domain width |
Средняя ширина полосового домена, соответствующая абсолютному минимуму энергии размагниченной монокристаллической пленки феррита-граната |
28. Угол отклонение оси легкого намагничивания МПФГ |
Угол между осью легкого намагничивания и нормалью к поверхности монокристаллической пленки феррита-граната |
29. Номинальный диаметр ЦМД |
Диаметр цилиндрического магнитного домена в середине области устойчивости ЦМД |
30. Толщина МПФГ |
- |
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД |
|
31. ЦМД-кристалл Кристалл Ндп. Чип Bubble chip Chip |
Часть ЦМД-пластины с нанесенной на нее схемой управления цилиндрическими магнитными доменами |
32. Плата микросборки ЦМД Плата |
Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для закрепления одного или нескольких ЦМД-кристаллов и соединения их с выводами микросборки ЦМД |
33. Корпус микросборки ЦМД Корпус |
Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для защиты от внешнего воздействия, экранирования от внешних магнитных полей и замыкания магнитного поля смещения микросборки ЦМД |
34. Система постоянных магнитов микросборки ЦМД Система постоянных магнитов |
Часть конструкции микросборки ЦМД, являющаяся источником поля смещения |
35. Растекатель микросборки ЦМД Растекатель |
Часть системы постоянных магнитов микросборки ЦМД, выполненная из магнитомягкого материала, предназначенная для повышения однородности поля смещения |
36. Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД Катушки вращающегося поля Ндп. Катушки управления XY coils |
Система катушек микросборки ЦМД, при пропускании через которые токов заданной формы осуществляется продвижение цилиндрических магнитных доменов |
37. Вывод микросборки ЦМД |
Элемент конструкции микросборки ЦМД, предназначенный для ее электрического соединения с внешними электрическими цепями и механического крепления |
38. Контактная площадка ЦМД-кристалла Контактная площадка |
Металлизированный участок на ЦМД-кристалле, служащий для присоединения выводов ЦМД-кристалла, а также для контроля исправности его электрических цепей |
39. Вывод ЦМД-кристалла |
Элемент конструкции микросборки ЦМД, соединенный с контактной площадкой ЦМД-кристалла и предназначенный для электрического соединения ЦМД-кристалла и платы микросборки ЦМД |
40. Ферромагнитная аппликация |
Пленочная аппликация из ферромагнитного материала, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки. Примечание. Одним из видов используемого ферромагнитного материала является пермаллой |
41. Токовая аппликация |
Пленочная проводниковая аппликация, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки |
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД |
|
42. Схема управления ЦМД Схема управления |
Совокупность аппликаций или локальных изменений структуры ЦМД-материала или их комбинированная совокупность, служащие для осуществления функциональных операций с цилиндрическими магнитными доменами при воздействии полей и токов |
43. Функциональный узел ЦМД-кристалла Функциональный узел Ндп. Функциональный узел чипа |
Часть схемы управления ЦМД, предназначенная для реализации определенной функции |
44. Схема продвижения ЦМД Схема продвижения Ндп. Канал продвижения Bubble propagation path |
Часть схемы управления ЦМД, определяющая траекторию продвижения цилиндрического магнитного домена |
45. Элемент продвижения ЦМД Элемент продвижения Propagation element |
Токовая аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для перемещения цилиндрических магнитных доменов по схеме продвижения |
46. Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД Элемент сопряжения |
Аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для соединения прямолинейных участков схемы продвижения цилиндрических магнитных доменов при изменении их направления продвижения |
47. Магнитостатическая ловушка МСЛ |
Локализованная зона ЦМД-кристалла с меньшим значением напряженности магнитного поля смещения, вызванная существованием магнитных полей, параллельных и противоположно направленных полю смещения, и служащая для удержания цилиндрических магнитных доменов |
48. Генератор ЦМД Bubble generator |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для зарождения цилиндрических магнитных доменов |
49. Узел считывания микросборки ЦМД Узел считывания |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий подготовку ЦМД-сигнала к регистрации и преобразование его в электрический выходной сигнал микросборки ЦМД |
50. Детектор ЦМД Bubble detector |
Часть узла считывания микросборки ЦМД, предназначенная для формирования выходного сигнала микросборки ЦМД |
51. Рабочий детектор ЦМД |
Часть детектора ЦМД, предназначенная для выделения ЦМД-сигнала и преобразования его в электрический сигнал |
52. Компенсационный детектор ЦМД |
Часть детектора ЦМД, предназначенная для компенсации электрического сигнала, наводимого в рабочем детекторе ЦМД вращающимся магнитным полем |
53. Расширитель ЦМД Расширитель |
Часть узла считывания микросборки ЦМД, осуществляющая растягивание цилиндрического магнитного домена в полосовой домен с целью увеличения выходного сигнала микросборки ЦМД |
54. Аннигилятор ЦМД Аннигилятор |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для уничтожения цилиндрических магнитных доменов |
55. Регистр хранения информации микросборки ЦМД Регистр хранения Ндп. Минорная петля Bubble storage loop Minor loop |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для накопления и хранения цилиндрических магнитных доменов |
56. Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД Регистр ввода-вывода Ндп. Мажорная петля Major loop |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для связи элементов управления цилиндрическими магнитными доменами с регистрами хранения информации при записи и считывании информации |
57. Регистр ввода информации микросборки ЦМД Регистр ввода |
Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации от генератора ЦМД в регистры хранения информации микросборки ЦМД |
58. Регистр вывода информации микросборки ЦМД Регистр вывода |
Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации из регистров хранения к узлу считывания микросборки ЦМД |
59. Репликатор ЦМД Репликатор Bubble replicator Replicate gate |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для деления цилиндрического магнитного домена на два, а также для ввода цилиндрического магнитного домена в регистр хранения и вывода из него |
60. Переключатель ввода-вывода ЦМД Переключатель ввода-вывода Ндп. Трансфер ввода-вывода |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для ввода информации в виде наличия или отсутствия цилиндрического магнитного домена в регистры хранения информации микросборки ЦМД и вывода информации из них |
61. Переключатель вывода ЦМД Переключатель вывода Ндп. Трансфер вывода Trancfer out Read gate |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для вывода информации из регистров хранения в регистр вывода или регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
62. Переключатель ввода ЦМД Переключатель ввода Ндп. Трансфер ввода Trancfer in Write gate |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для перевода информации из регистра ввода или регистра ввода-вывода в регистр хранения информации микросборки ЦМД |
63. Обменный переключатель ЦМД Обменный переключатель Swap gate |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для обмена информацией между регистром хранения и регистром ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
64. Реверсивный переключатель ввода-вывода ЦМД Реверсивный переключатель ввода-вывода |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий функции переключателя ввода или переключателя вывода ЦМД при изменении направления вращающегося магнитного поля |
65. Защитный массив ЦМД-кристалла Защитный массив |
Совокупность ферромагнитных аппликаций и (или) локальных изменений структуры ЦМД-кристалла, охватывающих рабочую зону ЦМД-кристалла для ее экранирования и вывода неинформационных ЦМД |
ОРГАНИЗАЦИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД |
|
66. Последовательная структура микросборки ЦМД Последовательная структура |
Организация микросборки ЦМД в виде одного автономного регистра хранения информации микросборки ЦМД |
67. Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД Последовательно-параллельная структура |
Организация микросборки ЦМД в виде совокупности регистров хранения информации микросборки ЦМД, объединенных регистром или регистрами ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
68. Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода Структура с замкнутым регистром ввода-вывода |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены одним замкнутым регистром ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
69. Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода Структура с раздельными регистрами ввода-вывода |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
70. Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем Структура с обменным переключателем |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации микросборки ЦМД |
71. Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием Структура с блочным реплицированием |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой совокупность регистров хранения информации микросборки ЦМД разделена на определенное число блоков |
ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСБОРКИ ЦМД |
|
72. Вращающееся магнитное поле микросборки ЦМД Вращающееся магнитное поле Rotating magnetic field |
Магнитное поле, вектор напряженности которого вращается в плоскости ЦМД-кристалла, служащее для продвижения цилиндрических магнитных доменов |
73. Магнитное поле смещения микросборки ЦМД Поле смещения Bias magnetic field |
Постоянное магнитное поле, создаваемое системой постоянных магнитов микросборки ЦМД, перпендикулярное к плоскости ЦМД-кристалла |
74. Поле управления ЦМД |
Переменное магнитное поле, возникающее в ЦМД-кристалле при подаче импульсов тока в элементы управления и осуществляющее функциональные операции с цилиндрическими магнитными доменами при наличии вращающегося магнитного поля микро-сборки ЦМД |
75. Страница данных микросборки ЦМД Страница данных |
Последовательность информационных ЦМД, определяемая количеством регистров хранения информации микросборки ЦМД и выводимая из регистров хранения в одном такте вращающегося магнитного поля |
76. Дефектный регистр хранения информации микросборки ЦМД Дефектный регистр A map of defective loop |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД, имеющий технологический дефект и неспособный накапливать и хранить цилиндрические магнитные домены |
77. Резервные регистры хранения информации микросборки ЦМД Резервные регистры Redundant gate |
Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, за счет которых обеспечивается, при наличии дефектных регистров, номинальная информационная емкость микросборки ЦМД |
78. Служебные регистры хранения информации микросборки ЦМД Служебные регистры |
Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, используемые по усмотрению потребителя для обнаружения и исправления ошибок и хранения карты дефектных регистров |
79. Карта дефектных регистров хранения информации Карта дефектных регистров |
Перечень номеров дефектных регистров хранения информации микросборки ЦМД |
80. Режим «старт-стоп» микросборки ЦМД Режим «старт-стоп» |
Режим работы и контроля микросборки ЦМД, при котором вращающееся магнитное поле останавливается в определенной фазе, с которой в дальнейшем оно возобновляется. Примечание. При остановке вращающегося магнитного поля сохранность информации обеспечивается удерживающим полем |
81. Удерживающее поле микросборки ЦМД Удерживающее поле |
Проекция поля смещения в плоскости ЦМД-кристалла, получаемая наклоном ЦМД-кристалла к плоскости постоянных магнитов и служащая для сохранения информации при отключении питания микросборки ЦМД |
ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ РАБОТУ МИКРОСБОРКИ ЦМД |
|
82. Электронное обрамление ЗУ на ЦМД |
Система функциональных электронных блоков, обеспечивающая функционирование микросборок ЦМД и ЦМД-накопителей и их совместимость с внешними устройствами |
83. Линейное обрамление ЦМД-накопителя Линейное обрамление Ндп. Ближайшее обрамление |
Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая формирование токов управления функциональными узлами ЦМД-кристалла и усиление выходных сигналов микросборки ЦМД Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая |
84. Контроллер ЗУ на ЦМД Контроллер Bubble memory controller |
заданные режимы работы запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах и организацию связи с интерфейсом внешних систем |
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД |
|
85. Одноуровневое исполнение ЦМД-кристалла |
Исполнение ЦМД-кристалла, при котором функциональные узлы и коммутационную разводку изготавливают из пермаллоевого слоя на одном уровне |
86. Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла |
- |
87. Планарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором все магнитопленочные элементы располагаются в одном уровне |
88. Непланарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором часть магнитопленочных элементов приподнята над токовыми элементами управления |
89. Квазипланарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое построение ЦМД-кристалла, при котором геометрический рельеф топологического элемента сглаживается диэлектрическим слоем более чем на половину толщины элемента |
ПАРАМЕТРЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД |
|
90. Время считывания страницы данных микросборки ЦМД Tсч Время считывания страницы |
Интервал времени, в течение которого все цилиндрические магнитные домены страницы данных проходят через детектор ЦМД |
91. Выходное напряжение высокого уровня микросборки ЦМД U1вых Выходное напряжение высокого уровня |
Значение напряжения высокого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
92. Выходное напряжение низкого уровня микросборки ЦМД U0вых Выходное напряжение низкого уровня |
Значение напряжения низкого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
93. Среднее время выборки микросборки ЦМД Tв.ср Среднее время выборки Ндп. Среднее время поиска информации |
Время выборки первого бита средней страницы данных микросборки ЦМД |
94. Период вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД Tраб Период вращающегося магнитного поля |
Интервал времени, за который вектор вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД делает поворот на 360° |
95. Рабочая частота микросборки ЦМД fраб Рабочая частота |
Частота вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
96. Потребляемая мощность микросборки ЦМД Pпот Потребляемая мощность |
Средняя мощность, потребляемая микросборкой ЦМД при наиболее характерном режиме обращения к микросборке ЦМД |
97. Область устойчивой работы микросборки ЦМД |
Совокупность значений параметров микросборки ЦМД в допустимых пределах их изменений, обеспечивающая функционирование микросборки ЦМД |
98. Рабочий диапазон температур микросборки ЦМД ΔTраб Рабочий диапазон температур |
Диапазон температур окружающей среды или на корпусе микросборки ЦМД, при котором обеспечиваются требуемые характеристики микросборки ЦМД |
99. Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД ΔTхр Диапазон температур хранения информации |
Диапазон температур, пребывание в котором микросборки ЦМД с записанной информацией и отключенным питанием не вызывает потерь информации |
ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЙ МИКРОСБОРКИ ЦМД |
|
100. Ток управления микросборки ЦМД Ix, Iy Ток управления |
Амплитуда импульса тока, проходящего через катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
101. Ток генератора ЦМД Iг Ток генератора |
Амплитуда импульса тока генератора ЦМД при зарождении цилиндрического магнитного домена |
102. Ток переключателя ввода ЦМД Iвв Ток ввода |
Амплитуда импульса тока переключателя ввода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистра ввода в регистр хранения |
103. Ток переключателя вывода ЦМД Iв Ток вывода |
Амплитуда импульса тока переключателя вывода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистров хранения в регистр вывода |
104. Ток обменного переключателя ЦМД Iоб Ток обменного переключателя |
Амплитуда импульса тока обменного переключателя ЦМД при одновременном переводе цилиндрического магнитного домена из регистра ввода-вывода в регистры хранения и из регистров хранения в регистр ввода-вывода |
105. Ток репликатора ЦМД Iр Ток репликатора |
Амплитуда импульса тока репликатора ЦМД при делении цилиндрического магнитного домена с последующим выводом информации |
106. Ток детектора ЦМД Iд Ток детектора |
Амплитуда импульса тока, проходящего через детектор ЦМД при считывании ЦМД-сигнала, представленного наличием цилиндрического магнитного домена |
107. Длительность импульса тока генератора ЦМД τг* Длительность импульса тока генератора |
- |
108. Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД τвв Длительность импульса тока ввода |
- |
109. Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД τв Длительность импульса тока вывода |
- |
110. Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД τоб Длительность импульса тока обменного переключателя Ндп. Длительность импульса тока обмена информации |
- |
111. Длительность импульса тока репликатора ЦМД τр Длительность импульса тока репликатора |
- |
112. Время задержки импульса тока генератора ЦМД tз.г** Время задержки импульса генератора |
- |
113. Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД tз.вв Время задержки импульса тока ввода |
- |
114. Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД tз.в Время задержки импульса тока вывода |
- |
115. Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД tз.об Время задержки импульса тока обменного переключателя |
- |
116. Время задержки импульса тока репликатора ЦМД tз.р Время задержки импульса тока репликатора Ндп. Время задержки импульса тока репликации |
- |
117. Сопротивление генератора ЦМД Rг Сопротивление генератора |
- |
118. Сопротивление переключателя ввода ЦМД Rвв Сопротивление переключателя ввода |
- |
119. Сопротивление переключателя вывода ЦМД Rв Сопротивление переключателя вывода |
- |
120. Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД Rвв-в Сопротивление переключателя ввода-вывода |
- |
121. Сопротивление обменного переключателя ЦМД Rоб Сопротивление обменного переключателя |
- |
122. Сопротивление детектора ЦМД Сопротивление детектора Rд |
- |
123. Разность сопротивлений детекторов ЦМД ΔRд Разность сопротивлений детекторов |
Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов ЦМД |
124. Сопротивление катушек вращающегося поля микросборки ЦМД Rx, Ry Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля |
- |
125. Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД Lx, Ly Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля Ндп. Индуктивность узла управления |
- |
126. Фазовый сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД ψс.x, ψс.y Фазовый сдвиг |
- |
127. Чувствительность детектора ЦМД |
Отношение выходного напряжения высокого уровня микросборки ЦМД к току детектора ЦМД |
* Длительность импульсов токов определяют на уровне 0,5 максимальной амплитуды.
** Время задержки импульсов токов отсчитывают от начала положительной полуволны тока катушки вращающегося магнитного поля.
Номер термина |
|
Аннигилятор |
|
Аннигилятор ЦМД |
|
Аппликация токовая |
|
Аппликация ферромагнитная |
|
Время выборки среднее |
|
Время выборки микросборки ЦМД среднее |
|
Время задержки импульса тока ввода |
|
Время задержки импульса тока вывода |
|
Время задержки импульса тока генератора |
|
Время задержки импульса тока генератора микросборки ЦМД |
|
Время задержки импульса тока обменного переключателя |
|
Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД |
|
Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД |
|
Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД |
|
Время задержки импульса тока репликатора |
|
Время задержки импульса тока репликатора ЦМД |
|
Время задержки импульса тока репликации |
|
Время считывания страницы |
|
Время считывания страницы данных микросборки ЦМД |
|
Вывод микросборки ЦМД |
|
Вывод ЦМД-кристалла |
|
Генератор ЦМД |
|
Детектор ЦМД |
|
Детектор ЦМД компенсационный |
|
Детектор ЦМД рабочий |
|
Дефект МПФГ |
|
Дефект МПФГ магнитный |
|
Дефект поверхности МПФГ |
|
Диаметр ЦМД номинальный |
|
Диапазон температур микросборки ЦМД рабочий |
|
Диапазон температур рабочий |
|
Диапазон температур хранения информации |
|
Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД |
|
Длина ЦМД-материала характеристическая |
|
Длительность импульса тока генератора |
|
Длительность импульса тока генератора ЦМД |
|
Длительность импульса тока ввода |
|
Длительность импульса тока вывода |
|
Длительность импульса тока обмена информации |
|
Длительность импульса тока обменного переключателя |
|
Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД |
|
Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД |
|
Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД |
|
Длительность импульса тока репликатора |
|
Длительность импульса тока репликатора ЦМД |
|
Домен магнитный цилиндрический |
|
Домен магнитный цилиндрический жесткий |
|
Домен магнитный цилиндрический информационный |
|
Домен магнитный цилиндрический неинформационный |
|
Домен магнитный цилиндрический несквозной |
|
ЗУ на ЦМД |
|
Изделие на цилиндрических магнитных доменах магнитоэлектронное |
|
Изделие на ЦМД магнитоэлектронное |
|
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля |
|
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
|
Индуктивность узла управления |
|
Исполнение ЦМД-кристалла квазипланарное |
|
Исполнение ЦМД-кристалла многоуровневое |
|
Исполнение ЦМД-кристалла непланарное |
|
Исполнение ЦМД-кристалла одноуровневое |
|
Исполнение ЦМД-кристалла планарное |
|
Канал продвижения |
|
Карта дефектных регистров |
|
Карта дефектных регистров хранения информации |
|
Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
|
Катушки вращающегося поля |
|
Катушки управления |
|
Контроллер ЗУ на ЦМД |
|
Контроллер |
|
Корпус |
|
Корпус микросборки ЦМД |
|
Ловушка магнитостатическая |
|
Массив защитный |
|
Массив ЦМД-кристалла защитный |
|
Микросборка на цилиндрических магнитных доменах |
|
Микросборка ЗУ ЦМД |
|
Микросборка ЦМД |
|
Мощность микросборки ЦМД потребляемая |
|
Мощность потребляемая |
|
МПФГ |
|
МСЛ |
|
Напряжение высокого уровня выходное |
|
Напряжение высокого уровня микросборки ЦМД выходное |
|
Напряжение низкого уровня выходное |
|
Напряжение низкого уровня микросборки ЦМД выходное |
|
Напряженность поля зарождения |
|
Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД |
|
Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД |
|
Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
|
Напряженность поля коллапса |
|
Напряженность поля неустойчивости |
|
Область устойчивой работы микросборки ЦМД |
|
Область устойчивости ЦМД |
|
Обрамление ближайшее |
|
Обрамление ЗУ на ЦМД электронное |
|
Обрамление линейное |
|
Обрамление ЦМД-накопителя линейное |
|
Обрамление электронное |
|
Переключатель ввода |
|
Переключатель ввода-вывода |
|
Переключатель ввода-вывода реверсивный |
|
Переключатель ввода-вывода ЦМД |
|
Переключатель ввода-вывода ЦМД реверсивный |
|
Переключатель ввода ЦМД |
|
Переключатель вывода |
|
Переключатель вывода ЦМД |
|
Переключатель обменный |
|
Переключатель ЦМД обменный |
|
Период вращающегося магнитного поля |
|
Период вращающегося магнитного поля микроосборки ЦМД |
|
Петля мажорная |
|
Петля минорная |
|
Плата |
|
Плата микросборки ЦМД |
|
Пленка доменосодержащая |
|
Пленка феррита-граната монокристаллическая |
|
Площадка контактная |
|
Площадка ЦМД-кристалла контактная |
|
Подложка МПФГ |
|
Поле магнитное вращающееся |
|
Поле микросборки ЦМД магнитное вращающееся |
|
Поле микросборки ЦМД удерживающее |
|
Поле смещения |
|
Поле смещения микросборки ЦМД магнитное |
|
Поле удерживающее |
|
Поле управления ЦМД |
|
Разность сопротивлений детекторов |
|
Разность сопротивлений детекторов ЦМД |
|
Растекатель |
|
Растекатель микросборки ЦМД |
|
Расширитель |
|
Расширитель ЦМД |
|
Регистр ввода |
|
Регистр ввода-вывода |
|
Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
|
Регистр ввода информации микросборки ЦМД |
|
Регистр вывода |
|
Регистр вывода информации микросборки ЦМД |
|
Регистр дефектный |
|
Регистр хранения |
|
Регистр хранения информации микросборки ЦМД |
|
Регистр хранения информации микросборки ЦМД дефектный |
|
Регистры резервные |
|
Регистры служебные |
|
Регистры хранения информации микросборки ЦМД резервные |
|
Регистры хранения информации микросборки ЦМД служебные |
|
Режим «старт-стоп» |
|
Режим «старт-стол» микросборки ЦМД |
|
Репликатор |
|
Репликатор ЦМД |
|
Решетка ЦМД |
|
Сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД фазовый |
|
Сдвиг фазовый |
|
Сила коэрцитивная динамическая |
|
Система постоянных магнитов |
|
Система постоянных магнитов микросборки ЦМД |
|
Скорость насыщения доменной границы |
|
Сопротивление генератора |
|
Сопротивление генератора ЦМД |
|
Сопротивление детектора |
|
Сопротивление детектора ЦМД |
|
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля |
|
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
|
Сопротивление обменного переключателя |
|
Сопротивление обменного переключателя ЦМД |
|
Сопротивление переключателя ввода |
|
Сопротивление переключателя ввода-вывода |
|
Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД |
|
Сопротивление переключателя ввода ЦМД |
|
Сопротивление переключателя вывода |
|
Сопротивление переключателя вывода ЦМД |
|
Страница данных |
|
Страница данных микросборки ЦМД |
|
Структура микросборки ЦМД последовательная |
|
Структура микросборки ЦМД последовательно-параллельная |
|
Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием |
|
Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода |
|
Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем |
|
Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода |
|
Структура последовательная |
|
Структура последовательно-параллельная |
|
Структура с блочным реплицированием |
|
Структура с замкнутым регистром ввода-вывода |
|
Структура с обменным переключателем |
|
Структура с раздельными регистрами ввода-вывода |
|
Схема продвижения |
|
Схема продвижения ЦМД |
|
Схема управления |
|
Схема управления ЦМД |
|
Ток ввода |
|
Ток вывода |
|
Ток генератора |
|
Ток генератора ЦМД |
|
Ток детектора |
|
Ток детектора ЦМД |
|
Ток обменного переключателя |
|
Ток обменного переключателя ЦМД |
|
Ток переключателя ввода ЦМД |
|
Ток переключателя вывода ЦМД |
|
Ток репликатора |
|
Ток репликатора ЦМД |
|
Ток управления |
|
Ток управления микросборки ЦМД |
|
Толщина МПФГ |
|
Трансфер ввода |
|
Трансфер ввода-вывода |
|
Трансфер вывода |
|
Угол отклонения оси легкого намагничивания МПФГ |
|
Узел считывания |
|
Узел считывания микросборки ЦМД |
|
Узел функциональный |
|
Узел ЦМД-кристалла функциональный |
|
Узел чипа функциональный |
|
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее |
|
Фактор качества |
|
Фактор качества ЦМД-материала |
|
ЦМД |
|
ЦМД жесткий |
|
ЦМД информационный |
|
ЦМД-кристалл |
|
ЦМД неинформационный |
|
ЦМД несквозной |
|
ЦМД-материал |
|
ЦМД-накопитель |
|
ЦМД-пластина |
|
ЦМД-сигнал |
|
Частота микросборки ЦМД рабочая |
|
Частота рабочая |
|
Чип |
|
Чувствительность детектора ЦМД |
|
Ширина полосового домена равновесная |
|
Элемент продвижения |
|
Элемент продвижения ЦМД |
|
Элемент сопряжения |
|
Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД |
Таблица 3
Номер термина |
|
A map of defective loop |
|
Bias magnetic field |
|
Bubble chip |
|
Bubble collaps field intensity |
|
Bubble detector |
|
Bubble generator |
|
Bubble margin |
|
Bubble material |
|
Bubble memory |
|
Bubble memory controller |
|
Bubble memory device |
|
Bubble propagation path |
|
Bubble replicator |
|
Bubble signal |
|
Bubble storage loop |
|
Chip |
|
Hard bubble |
|
Magnetic bubble |
|
Major loop |
|
Minor loop |
|
Propagation element |
|
Read gate |
|
Redundant gate |
|
Replicate gate |
|
Rotating magnetic field |
|
Strip domain width |
|
Swap gate |
|
Transfer in |
|
Transfer out |
|
Write gate |
|
X¢Y coils |
Справочное
Таблица 4
Определение |
|
1. Магнитоэлектронное изделие |
Изделие, состоящее из конструктивных элементов, функционирующих на основе использования физических явлений магнитной природы |
2. Средняя страница |
Страница данных, хранящаяся в регистрах хранения, время выборки которой равно половине суммы времени выборки первой и последней страницы данных |
3. Магнитоодноосный материал |
Магнитный материал, имеющий единственную ось легкого намагничивания |
4. Полосовая доменная структура |
Упорядоченная совокупность полосовых доменов |
5. Подвижность доменной границы |
Отношение приращения скорости перемещения доменной границы к приращению напряженности продвигающего ее магнитного поля |
6. Блоховская граница |
Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, параллельной плоскости доменной границы |
7. Неелевская граница |
Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, перпендикулярной плоскости доменной границы |
8. Вертикальная блоховская линия |
Переходной неелевский участок доменной границы, разделяющий блоховские участки доменной границы с противоположными направлениями разворота вектора намагничивания |
9. Напряженность поля одноосной магнитной анизотропии |
Отношение удвоенной константы одноосной магнитной анизотропии к намагниченности технического насыщения |
10. Эффективная напряженность поля одноосной магнитной анизотропии |
Разность напряженности поля одноосной магнитной анизотропии и намагниченности технического насыщения |
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ
Э.С. Зиборов (руководитель темы); В.Н. Зубков; Г.Д. Пучкова; В.П. Сушков; Н.П. Самров; Э.И. Багдасарьянц; В.Г. Таширов; П.И. Набокин
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 № 1058
3. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
4. Срок первой проверки - 1994 г.
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
6. ПЕРЕИЗДАНИЕ
СОДЕРЖАНИЕ
Алфавитный указатель терминов на русском языке. 9 Алфавитный указатель терминов на английском языке. 13 Приложение. Термины и определения, необходимые для понимания текста стандарта. 14 |