| Обозначение: |  ГОСТ 29283-92 |
| Обозначение англ: | GOST 29283-92 |
| Статус: | Действует |
| Название рус.: | Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы |
| Название англ.: | Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelectronic devices |
| Дата добавления в базу: | 01.09.2013 |
| Дата актуализации: | 01.01.2021 |
| Дата введения: | 01.01.1993 |
| Область применения: | Стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов:
полупроводниковые излучатели, включая:
оптоэлектронные полупроводниковые прибор ы отображения информации (на рассмотрении),
светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении);
полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая:
фотодиоды,
фототранзисторы
фототиристоры (на рассмотрении);
фотопары, оптопары. |
| Оглавление: | Глава I. Общие положения
1. Вводное примечание
2. Область применения
Глава II. Терминология и буквенные обозначения
1. Тип полупроводниковых оптоэлектронных приборов
2. Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров и характеристикам
3. Буквенные обозначения
Глава III. Основные предельно допустимые значения параметров и характеристики
Раздел 1 - Светоизлучающие диоды
1. Тип
2. Полупроводниковый материал
3. Цвет
4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе
5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур
6. Электрические характеристики
7. Дополнительные сведения
8. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы
Раздел 2 - Инфракрасные излучающие диоды
1. Тип
2. Полупроводниковый материал
3. Сведения о габаритном чертеже и корпусе
4. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное
5. Электрические характеристики
6. Дополнительные сведения
7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы
Раздел 3 - Фотодиоды
1. Тип
2. Полупроводниковый материал
3. Сведения о габаритном чертеже и корпусе
4. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное
5. Электрические характеристики
6. Дополнительные сведения
7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы
Раздел 4 - Фототранзисторы
1. Тип
2. Полупроводниковый материал
3. Тип перехода
4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе
5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное
6. Электрические характеристики
7. Дополнительные сведения
8. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы
Раздел 5 – Фотопары, оптопары (с транзистором на выходе)
1. Тип
2. Полупроводниковый материал
3. Тип перехода транзистора на выходе
4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе
5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное
6. Электрические характеристики
7. Дополнительные сведения
Глава IV. Методы измерений
1. Методы измерений для излучателей
1.1. Сила света светоизлучающих диодов
1.2. Сила излучения инфракрасных излучающих диодов
1.3. Световой поток
1.4. Длина волны излучения и ширина спектра излучения
2. Методы измерений для фоточувствительных приборов
2.1. Ток под действием облучения фотодиодов и ток коллектора под действием облучения фототранзисторов
3. Методы измерений для фотопар
3.1. Коэффициент передачи по току
3.2. Емкость вход - выход
3.3. Сопротивление изоляции между входом и выходом
3.4. Испытания на прочность изоляции |
| Разработан: | Министерство электронной промышленности СССР
|
| Утверждён: | 21.01.1992 Комитет стандартизации и метрологии СССР (USSR Committee on Standardization and Metrology 40)
|
| Издан: | Издательство стандартов (1992 г. )
|
| Расположен в: |
|
| Нормативные ссылки: | |