Обозначение: | ![]() ![]() |
Статус: | действует |
Название рус.: | Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей |
Название англ.: | Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination |
Дата актуализации текста: | 06.04.2015 |
Дата актуализации описания: | 01.07.2023 |
Дата издания: | 21.01.1985 |
Дата введения: | 01.01.1986 |
Нормативные ссылки: | ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Область применения: | Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане |
Список изменений: | №1 от 01.01.1991 (рег. 25.06.1990) «Срок действия продлен» |
Расположен в: |