ГОСТ Р 71645-2024
Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей
| Обозначение: |   ГОСТ Р 71645-2024 |
| Статус: | принят |
| Название рус.: | Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей |
| Название англ.: | Silicon is a semiconductor. Method of measuring the concentration of impurities |
| Дата актуализации текста: | 01.12.2024 |
| Дата актуализации описания: | 01.12.2024 |
| Дата издания: | 09.10.2024 |
| Дата введения: | 01.03.2025 |
| Нормативные ссылки: |  ГОСТ 123;ГОСТ 804;ГОСТ 849;ГОСТ 859;ГОСТ 860;ГОСТ 1089;ГОСТ 1277;ГОСТ 1467;ГОСТ 1770;ГОСТ 3640;ГОСТ 3778;ГОСТ 3885;ГОСТ 4530;ГОСТ 4568;ГОСТ 5905;ГОСТ 6008;ГОСТ 6217;ГОСТ 6835;ГОСТ 9293;ГОСТ 10297;ГОСТ 10691.1;ГОСТ 10928;ГОСТ 11069;ГОСТ 11125;ГОСТ 12797;ГОСТ 13510;ГОСТ 13637.1;ГОСТ 14261;ГОСТ 22622;ГОСТ 24222;ГОСТ 2922;ГОСТ Р 53228;ГОСТ Р 55878 |
| Область применения: | Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемый и модернизируемый полупроводниковый кремний и устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод измерения концентрации примесей с возбуждением спектров разрядов с горячим полым катодом. Интервалы определяемых значений концентрации примесей приведены в приложении А. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний (ПИ), опытных образцов, стандартов на методы измерений, номенклатуру показателей системы показателей качества и технического уровня полупроводникового кремния |
| Расположен в: | |
