| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действует |
Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный Нормативные ссылки:  ГОСТ 18986.14-85;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.7-74 |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.11-75 |
| ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 23769-79 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 17465-80;ГОСТ 18472-82;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74;ГОСТ 19656.2-74;ГОСТ 19656.3-74;ГОСТ 19656.4-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.6-74;ГОСТ 19656.7-74;ГОСТ 19656.9-79;ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75;ГОСТ 19656.12-76;ГОСТ 19656.13-76;ГОСТ 19656.14-79;ГОСТ 21493-76;ГОСТ 23088-80;ГОСТ 23135-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 25359-82;ГОСТ 25360-82;ГОСТ 25467-82;ГОСТ 25486-82 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |
| ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18216-72;ГОСТ 18994-73;ГОСТ 20004-74;ГОСТ 20005-74;ГОСТ 20331-74;ГОСТ 21154-75 |
| ГОСТ 28625-90 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы Нормативные ссылки: IEC 60747-3-2(1986), IEC 60747-10(1984);IEC 60747-11(1985);IEC 60068-2-17(1978);IEC 60191-2(1966);IEC 60747-3(1985);IEC 60749(1984);ГОСТ 28623-90;ГОСТ 28624-90 |
| ГОСТ 29209-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды | 01.07.1992 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключением Нормативные ссылки: IEC 60747-2(1983), IEC 60747-1(1983) |
| ГОСТ 29210-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения | 01.07.1992 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации Нормативные ссылки: IEC 60747-3(1985), IEC 60747-1(1983) |
| ГОСТ Р 54815-2011 Лампы светодиодные со встроенным устройством управления для общего освещения на напряжения свыше 50 В. Эксплуатационные требования | 01.07.2012 | отменён |
| Название англ.: Self-ballasted LED-lamps for general lighting services by voltage over 50 V. Operating requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на светодиодные лампы со встроенным устройством управления на напряжения до 250 В, предназначенные для бытового и аналогичного общего освещения, имеющие: - номинальную мощность до 60 Вт включительно; - номинальное постоянное или переменное напряжение до 250 В включительно; - цоколи в соответствии с МЭК 62560,и устанавливает эксплуатационные требования, а также методы и условия испытаний. Испытания по настоящему стандарту относятся к типовым. Настоящий стандарт не распространяется на светодиодные лампы со встроенным устройством управления с окрашенным или цветным стеклом и на лампы с органическими светодиодами Нормативные ссылки: IEC/PAS 62612(2009), ГОСТ IEC 62612-2019, IEC 60061-1;IEC 60081(1997);IEC 60598-1;IEC 60630;IEC/TR 61341(2010);CIE 84:1989 |
| ГОСТ Р 70743-2023 Варикапы. Система параметров | 01.03.2024 | принят |
| Название англ.: Varicaps. Parameter system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые варикапы и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на варикапы конкретных типов при их разработке или пересмотре. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов Нормативные ссылки: ГОСТ 25529;ГОСТ Р 57436 |
| ГОСТ Р 70744-2023 Диоды полупроводниковые туннельные. Система параметров | 01.03.2024 | принят |
| Название англ.: Semiconductor tunnel diodes. Parameter system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые туннельные полупроводниковые диоды (далее – диоды) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия или стандарты на диоды конкретных типов при их разработке или пересмотре. Стандарт не распространяется на обращенные туннельные сверхвысокочастотные диоды, применяемые в качестве смесительных и детекторных диодов. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научно-хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством Нормативные ссылки: ГОСТ 25529;ГОСТ Р 57436 |
| ГОСТ Р 70786-2023 Диоды полупроводниковые импульсные лавинные. Система параметров | 01.03.2024 | принят |
| Название англ.: Avalanche pulse semiconductor diodes. Parameter system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые лавинные импульсные полупроводниковые диоды (ДПИЛ) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на ДПИЛ конкретных типов при их разработке или пересмотре. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации ДПИЛ в соответствии с действующим законодательством Нормативные ссылки: ГОСТ 25529;ГОСТ Р 57436 |