Обозначение: | ГОСТ 19658-81 |
Статус: | действует |
Название рус.: | Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия |
Название англ.: | Monocrystalline silicon in ingots. Specifications |
Дата актуализации текста: | 06.04.2015 |
Дата актуализации описания: | 01.07.2023 |
Дата издания: | 01.04.2001 |
Дата введения: | 01.01.1983 |
Код ОКП: | 177213 |
Взамен: | ГОСТ 19658-74 |
Нормативные ссылки: | ГОСТ 2.004-88;ГОСТ 61-75;ГОСТ 334-73;ГОСТ 427-75;ГОСТ 701-89;ГОСТ 1367.0-83;ГОСТ 1770-74;ГОСТ 2263-79;ГОСТ 2548-77;ГОСТ 2567-89;ГОСТ 2789-73;ГОСТ 2874-82;ГОСТ 3647-80;ГОСТ 3776-78;ГОСТ 4160-74;ГОСТ 4220-75;ГОСТ 4461-77;ГОСТ 5017-74;ГОСТ 5959-80;ГОСТ 5962-67;ГОСТ 9206-80;ГОСТ 9285-78;ГОСТ 9412-93;ГОСТ 9696-82;ГОСТ 10197-70;ГОСТ 10354-82;ГОСТ 10484-78;ГОСТ 11069-74;ГОСТ 11078-78;ГОСТ 11109-90;ГОСТ 11125-84;ГОСТ 12026-76;ГОСТ 12997-84;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 17299-78;ГОСТ 18270-72;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 20477-86;ГОСТ 23676-79;ГОСТ 24392-80;ГОСТ 25593-83;ГОСТ 26239.1-84;ГОСТ 29298-92;ГОСТ 29329-92;ТУ 6-09-3401-70;ТУ 6-09-4015-78;ТУ 25-10(АМЦ2.778.019)-84;ТУ 25-10(АМЦ2.778.020)-84 |
Область применения: | Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник |
Список изменений: | №1 от 01.01.1988 (рег. 29.06.1987) «Срок действия продлен» №2 от 01.01.1993 (рег. 13.05.1992) «Срок действия продлен» |
Расположен в: |