Обозначение | Дата введения | Статус |
ГОСТ 4.137-85 Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действует |
Название англ.: Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию Нормативные ссылки: ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 20859.1-79;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 23900-79;ГОСТ 27002-83;СТ СЭВ 1125-78 |
ГОСТ 4.139-85 Система показателей качества продукции. Преобразователи электроэнергии плупроводниковые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действует |
Название англ.: System of product-quality indices. Semiconductor power converters. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества полупроводниковых преобразователей электроэнергии, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, ТЗ на ОКР, разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию, технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ). Стандарт распространяется на следующие группы однородной продукции: преобразователи электроэнергии полупроводниковые силовые мощностью до 5 кВ.А включительно; выпрямители полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; преобразователи частоты полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А ; нверторы полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; преобразователи переменного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; преобразователи постоянного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; агрегаты бесперебойного питания Нормативные ссылки: ГОСТ 27.002-83;ГОСТ 27.003-83;ГОСТ 14.205-83;ГОСТ 18311-80;ГОСТ 19880-74;ГОСТ 12.2.007.11-75;ГОСТ 12.1.004-84 |
ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.01.1976 | действует |
Название англ.: Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-90;ГОСТ 12.1.004-91;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;СТ СЭВ 1622-79 |
ГОСТ 18986.6-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления | 01.01.1975 | действует |
Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3198-81, ГОСТ 18986.0-74 |
ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления | 01.01.1975 | действует |
Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 10965-64, ГОСТ 18986.0-74;СТ СЭВ 3198-81 |
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока | 01.01.1974 | действует |
Название англ.: Rectifier diodes. Methods of measuring average forward voltage and average reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые выпрямительные диоды малой и средней мощности, полупроводниковые выпрямительные столбы и устанавливает метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока Нормативные ссылки: IEC 60147-2A;ГОСТ 18986.0-74 |
ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1975 | действует |
Название англ.: Field effect transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2771-80 |
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действует |
Название англ.: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79, ГОСТ 30617-98 в части модулей, СТ СЭВ 1135-88, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23900-87;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88 |
ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.07.1988 | действует |
Название англ.: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79, CT CЭB 1136-86, IEC 60191-2(1966);IEC 60191-2A(1969);IEC 60191-2B(1969);IEC 60191-2C(1970);IEC 60191-2D(1971);IEC 60191-2E(1974);IEC 60191-2F(1976);IEC 60191-2G(1978);IEC 60191-2H(1978);IEC 60191-2J(1980);IEC 60191-2K(1981);IEC 60191-2L(1982);IEC 60191-2M(1983) |
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1656-79, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 15150-69 |
ГОСТ 25293-82 Охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Общие технические условия | 01.01.1983 | действует |
Название англ.: Coolers of air-cooling system of power semiconducting devices. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Настоящий стандарт не распространяется на охладители, работающие в средах: с токопроводящей пылью; содержащих едкие газы, разрушающие металлы и изоляцию; взрывоопасных Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3161-81;СТ СЭВ 3162-81;СТ СЭВ 3163-81, ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 20859.1-79;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 24287-80 |
ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действует |
Название англ.: Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров Нормативные ссылки: CT CЭB 5538-86, IEC 147-2-63;IEC 147-2C-70;IEC 147-2M-80;IEC 747-1-83;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 20003-74 |
ГОСТ 30617-98 Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия | 01.07.2002 | действует |
Название англ.: Power semiconductor modules. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие: - в средах с токопроводящей пылью; - в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; - во взрывоопасной среде; - в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-89 в части модулей, ГОСТ 12.1.004-91;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 20.39.312-85;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 14192-96;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543.1-89;ГОСТ 17516.1-90;ГОСТ 18620-86;ГОСТ 19095-73;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88;СТ СЭВ 1657-79 |