Информационная система
«Ёшкин Кот»

Государственные стандартыДекларация о соответствии Единый перечень продукции ТС Классификатор государственных стандартов Общероссийский классификатор стандартов Авиационная и космическая техника Бытовая техника и торговое оборудование. Отдых. Спорт Военная техника Гидравлические и пневматические системы и компоненты общего назначения Горное дело и полезные ископаемые Гражданское строительство Добыча и переработка нефти, газа и смежные производства Дорожно-транспортная техника Железнодорожная техника Здравоохранение Информационные технологии. Машины конторские Испытания Лакокрасочная промышленность Математика. Естественные науки Машиностроение Металлургия Метрология и измерения. Физические явления Механические системы и устройства общего назначения Общие положения. Терминология. Стандартизация. Документация Охрана окружающей среды, защита человека от воздействия окружающей среды. Безопасность Подъемно-транспортное оборудование Производство пищевых продуктов Резиновая, резинотехническая, асбесто-техничекая и пластмассовая промышленность Сельское хозяйство Стекольная и керамическая промышленность Строительные материалы и строительство Судостроение и морские сооружения Текстильное и кожевенное производство Телекоммуникации.аудио-и видеотехника Технология переработка древесины Технология получения изображений Точная механика. Ювелирное дело Упаковка и размещение грузов Услуги. Организация фирм, управление и качество. Администрация. Транспорт. Социология. Химическая промышленность Целлюлозно-бумажная промышленность Швейная промышленность Электроника Интегральные схемы. Микроэлектроника Конденсаторы Механические конструкции электронного оборудования Оптоэлектроника. Лазерное оборудование Печатные схемы и платы Полупроводниковые приборы Диоды Полупроводниковые приборы в целом Полупроводниковые приборы прочие Тиристоры Транзисторы Пьезоэлектрические и диэлектрические приборы Резисторы Электрические фильтры Электромеханические компоненты электронного оборудования и телекоммуникационного оборудования Электронные дисплеи Электронные компоненты в сборе Электронные компоненты в целом Электронные лампы Электротехника Энергетика и теплотехника Обязательная сертификация Окп Тематические сборники Технические регламенты РФ Технические регламенты Таможенного союза Строительная документацияТехническая документация

Найти:
Где:
Отображать:
Упорядочить:

Библиотека государственных стандартов

Дата актуализации: 01.07.2023

1 2 [3] 4 5 (147 найдено)
ОбозначениеДата введенияСтатус
ГОСТ 19138.1-85 Тиристоры. Метод измерения напряжения переключения01.01.1987действует
Название англ.: Thyristors. Method for measuring switching voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает метод измерения напряжения переключения. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.1-73, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19138.2-85 Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления01.01.1987действует
Название англ.: Triode thyristors. Method for measuring trigger direct and peak gate current and trigger direct and peak gate voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.2-73;ГОСТ 19138.11-75, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19138.3-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения01.01.1987действует
Название англ.: Triode thyristors. Method for measuring turn-off time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени выключения. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.3-73, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19138.4-73 Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки01.07.1975действует
Название англ.: Thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на диодные тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19138.5-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки01.01.1987действует
Название англ.: Triode thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.5-74, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров01.07.1987действует
Название англ.: Thyristors. Methods for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает методы измерения: критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии; тока удержания и тока включения; постоянного и повторяющегося импульсного тока в закрытом состоянии, постоянного и повторяющегося импульсного обратного тока; постоянного и импульсного напряжения в открытом состоянии; неотпирающего постоянного и импульсного напряжения управления триодных тиристоров. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.6-74;ГОСТ 19138.8-75;ГОСТ 19138.9-75;ГОСТ 19138.10-75, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания01.07.1975действует
Название англ.: Thyristors. Measurement method of peak gate turn-off current, peak gate turn-off voltage, peak turn-off coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные запираемые тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения импульсного запирающего тока управления импульсного запирающего напряжения управления тиристора и импульсного коэффициента запирания Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.0-85
ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of electrical parameters. General conditions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает общие положения при измерениях электрических параметров на сверхвысоких частотах Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1622-79;СТ СЭВ 3408-81, ГОСТ 10863-70;ГОСТ 11294-74
ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement method of voltage standing-wave ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement method of rectified current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает метод измерения выпрямленного тока в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of output impedance at an intermediate frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц следующие методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте: метод сравнения; метод импедансного моста Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of conversion losses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц методы измерения потерь преобразования: дифференциальный матод; метод амплитудной модуляции. Методы измерений потерь преобразований в диапазоне частот от 78,3 до 300 ГГц следует устанавливать в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement methods of output noise ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает 2 метода измерения шумового отношения при возбуждении диода: СВЧ мощностью (в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц); постоянным током Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3997-83, IEC 60147-2K;ГОСТ 18986.14-75;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.3-74;ГОСТ 19656.8-74
ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of standard overall noise figure Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц два метода измерения нормированного коэффициента шума Fнорм: метод шумового генератора; метод определения Fнорм по измененным значениям потерь преобразования и шумового отношения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3997-83, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.4-74;ГОСТ 19656.5-74
ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току01.07.1975действует
Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement method of current sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ детекторные и устанавливает метод измерения чувствительности по току бета в рабочей точке в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты01.01.1981действует
Название англ.: Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes. Methods of measuring time constant and limiting frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды и устанавливает следующие методы измерения постоянной времени и предельной частоты: метод четырехполюсника; метод последовательного резонанса диода; резонаторный метод. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты диода учитывают потери в измерительной диодной камере Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.9-74, ГОСТ 16423-78;ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь01.07.1989действует
Название англ.: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления01.07.1977действует
Название англ.: Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности01.01.1979действует
Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-85;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.7-74
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты01.01.1981действует
Название англ.: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.11-75
ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления01.01.1986действует
Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей01.07.1987действует
Название англ.: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 23769-79
ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров01.07.1976действует
Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 10863-70;ГОСТ 18986.1-73;ГОСТ 18986.2-73;ГОСТ 18986.3-73
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости01.01.1976действует
Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75
ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения01.07.1977действует
Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения01.07.1981действует
Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения01.01.1982действует
Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров01.07.1975действует
Название англ.: Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2770-80
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия01.01.1986действует
Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 17465-80;ГОСТ 18472-82;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74;ГОСТ 19656.2-74;ГОСТ 19656.3-74;ГОСТ 19656.4-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.6-74;ГОСТ 19656.7-74;ГОСТ 19656.9-79;ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75;ГОСТ 19656.12-76;ГОСТ 19656.13-76;ГОСТ 19656.14-79;ГОСТ 21493-76;ГОСТ 23088-80;ГОСТ 23135-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 25359-82;ГОСТ 25360-82;ГОСТ 25467-82;ГОСТ 25486-82
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров01.07.1985действует
Название англ.: Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров. Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 20332-74, СТ СЭВ 5395-85
ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров01.07.1984действует
Название англ.: Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 22261-82
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74
1 2 [3] 4 5 (147 найдено)

© 2013 Ёшкин Кот :-) Карта сайта