| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81,  ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума Нормативные ссылки: IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением Нормативные ссылки: ОСТ 11336.916-80, ГОСТ 20398.0-83 |
| ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79, ГОСТ 30617-98 в части модулей, СТ СЭВ 1135-88, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23900-87;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88 |
| ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения | 01.07.1984 | утратил силу в РФ |
| Название англ.: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик. Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 21934-76;ГОСТ 22899-78, ГОСТ Р 59605-2021, СТ СЭВ 2767-80;СТ СЭВ 3787-82 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |
| ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.07.1988 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79, CT CЭB 1136-86, IEC 60191-2(1966);IEC 60191-2A(1969);IEC 60191-2B(1969);IEC 60191-2C(1970);IEC 60191-2D(1971);IEC 60191-2E(1974);IEC 60191-2F(1976);IEC 60191-2G(1978);IEC 60191-2H(1978);IEC 60191-2J(1980);IEC 60191-2K(1981);IEC 60191-2L(1982);IEC 60191-2M(1983) |
| ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетания |
| ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Essential parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части разд. 23, 24, 25 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| ГОСТ 24376-91 Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия | 01.01.1992 | действует |
| Название англ.: Semiconductor inverters. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью Нормативные ссылки: ГОСТ 24376-86, ГОСТ 26830-86 в части полупроводниковых инверторов, IEC 60146-2(1974);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 9.005-72;ГОСТ 9.032-74;ГОСТ 9.104-79;ГОСТ 9.301-86;ГОСТ 12.1.003-83;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.023-80;ГОСТ 12.1.026-80;ГОСТ 12.1.028-80;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.2.007.11-75;ГОСТ 12.2.009-80;ГОСТ 15.001-88;ГОСТ 20.39.312-85;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 27.410-87;ГОСТ 6697-83;ГОСТ 6827-76;ГОСТ 8865-87;ГОСТ 10434-82;ГОСТ 14254-80;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543.1-89;ГОСТ 15963-79;ГОСТ 16842-82;ГОСТ 16962.1-89;ГОСТ 16962.2-90;ГОСТ 17412-72;ГОСТ 17441-84;ГОСТ 17516.1-90;ГОСТ 18620-86;ГОСТ 21128-83;ГОСТ 22352-77;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23511-79;ГОСТ 24682-81;ГОСТ 26118-84;ГОСТ 26284-84;ГОСТ 26567-85;ГОСТ 26964-86;Нормы 8-72;Нормы 15-78 |
| ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1656-79, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 15150-69 |
| ГОСТ 24607-88 Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Semiconductor frequency converters. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта. Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями Нормативные ссылки: ГОСТ 24607-81;ГОСТ 26088-84, ГОСТ 26830-86 в части преобразователей частоты, IEC 60146-2(1974);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 8.002-86;ГОСТ 8.326-78;ГОСТ 8.513-84;ГОСТ 9.005-72;ГОСТ 9.032-74;ГОСТ 9.104-79;ГОСТ 9.301-86;ГОСТ 12.1.003-83;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.026-80;ГОСТ 12.1.028-80;ГОСТ 12.2.0007.0-75;ГОСТ 12.2.0007.11-75;ГОСТ 15.001-73;ГОСТ 20.39.312-85;ГОСТ 27.410-87;ГОСТ 721-77;ГОСТ 6697-83;ГОСТ 6827-76;ГОСТ 8865-87;ГОСТ 10434-82;ГОСТ 13109-87;ГОСТ 14254-80;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543.1-89;ГОСТ 15963-79;ГОСТ 16842-82;ГОСТ 16962.1-89;ГОСТ 16962.2-90;ГОСТ 17412-72;ГОСТ 17441-84;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18620-86;ГОСТ 21128-83;ГОСТ 22352-77;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23366-78;ГОСТ 23511-79;ГОСТ 24555-81;ГОСТ 24682-81;ГОСТ 26118-84;ГОСТ 26284-84;ГОСТ 26567-85 |
| ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18216-72;ГОСТ 18994-73;ГОСТ 20004-74;ГОСТ 20005-74;ГОСТ 20331-74;ГОСТ 21154-75 |
| ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действует |
| Название англ.: Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров Нормативные ссылки: CT CЭB 5538-86, IEC 147-2-63;IEC 147-2C-70;IEC 147-2M-80;IEC 747-1-83;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 20003-74 |
| ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1988 | действует |
| Название англ.: Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки. Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки: ГОСТ 22274-80;ГОСТ 23562-79;ГОСТ 24403-80, ГОСТ 7601-78;CT CЭB 3787-82 |
| ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.01.1989 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor modules. Orerall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулей Нормативные ссылки: СТ СЭВ 5875-87, IEC 60146(1973);IEC 60191-2М(1983);IEC 60191-2(1966) |
| ГОСТ 28167-89 Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1991 | действует |
| Название англ.: Semiconductor alternating voltage converters. General specifications Нормативные ссылки: ГОСТ 26830-86 в части преобразователей переменного напряжения, IEC 60146(1973);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 8.002-86;ГОСТ 8.326-78;ГОСТ 8.513-84;ГОСТ 9.005-72;ГОСТ 9.032-74;ГОСТ 9.048-75;ГОСТ 9.104-79;ГОСТ 9.301-86;ГОСТ 12.1.003-83;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 15963-79;ГОСТ 16842-82;ГОСТ 21128-83 |
| ГОСТ 28578-90 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания | 01.01.1991 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods Область применения: Настоящий стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам) Нормативные ссылки: IEC 60749(1984), ISO/R 817:1974;IEC 60068-1(1988);IEC 60068-2-21(1983);IEC 60068-2-20(1978);IEC 60068-2-6(1982);IEC 60068-2-27(1987);IEC 60068-2-7(1983);IEC 60068-2-47(1982);IEC 60747-1(1983);IEC 60748-1(1984);IEC 60068-2-14(1984);IEC 60068-2-48(1982);IEC 60068-2-13(1983);IEC 60068-2-30(1987);IEC 60068-2-3(1969);IEC 60068-2-38(1977);IEC 60068-2-17(1978);IEC 60068-2-11(1981);IEC 60695-2-2(1980);IEC 60068-2-45(1980);ГОСТ 28198-89;ГОСТ 28199-89;ГОСТ 28200-89;ГОСТ 28201-89;ГОСТ 28202-89;ГОСТ 28203-89;ГОСТ 28204-89;ГОСТ 28205-89;ГОСТ 28206-89;ГОСТ 28207-89;ГОСТ 28208-89;ГОСТ 28209-89;ГОСТ 28210-89;ГОСТ 28211-89;ГОСТ 28212-89;ГОСТ 28213-89;ГОСТ 28214-89;ГОСТ 28215-89;ГОСТ 28216-89;ГОСТ 28217-89;ГОСТ 28218-89;ГОСТ 28219-89;ГОСТ 28220-89;ГОСТ 28221-89;ГОСТ 28222-89;ГОСТ 28223-89;ГОСТ 28224-89;ГОСТ 28225-89;ГОСТ 28226-89;ГОСТ 28227-89;ГОСТ 28228-89;ГОСТ 28229-89;ГОСТ 28230-89;ГОСТ 28231-89;ГОСТ 28232-89;ГОСТ 28233-89;ГОСТ 28234-89;ГОСТ 28235-89;ГОСТ 28236-89 |
| ГОСТ 28623-90 Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы | 01.01.1991 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем Нормативные ссылки: IEC 60747-10(1984), ISO 1000:1978;ISO 2015:1976;ISO 2859:1974;IEC 60068-1(1988);IEC 60068-2(1982);IEC 60147-0(1966);IEC 60147-1(1972);IEC 60147-2(1963);IEC 60147-4(1976);IEC 60147-5;IEC 60148(1969);IEC 60191-1(1966);IEC 60191-2(1966);IEC 60191-3(1974);IEC 60410(1973) |
| ГОСТ 28624-90 Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы | 01.01.1991 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices Область применения: Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов Нормативные ссылки: IEC 60747-11(1985), IEC 60068-2-17(1978);IEC 60147-2В(1970);IEC 60147-2С(1970);IEC 60147-2М(1980);IEC 60191-2(1966);IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60747-8(1984);IEC 60747-10(1984);IEC 60749(1984);ГОСТ 28210-89;ГОСТ 17467-88;ГОСТ 18472-88;ГОСТ 28578-90 |
| ГОСТ 28625-90 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы Нормативные ссылки: IEC 60747-3-2(1986), IEC 60747-10(1984);IEC 60747-11(1985);IEC 60068-2-17(1978);IEC 60191-2(1966);IEC 60747-3(1985);IEC 60749(1984);ГОСТ 28623-90;ГОСТ 28624-90 |