Обозначение | Дата введения | Статус |
ГОСТ 19138.5-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки | 01.01.1987 | Действует |
|
ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров | 01.07.1987 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает методы измерения:
критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии;
тока удержания и тока включения;
постоянного и повторяющегося импульсного тока в закрытом состоянии, постоянного н повторяющегося импульсного обратного тока;
постоянного и импульсного напряжения в открытом состоянии;
неотпирающего постоянного и импульсного тока управления и неотпирающего постоянного и импульсного напряжения управления триодных тиристоров.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры. Заменяет собой: - ГОСТ 19138.6-74 «Тиристоры. Метод измерения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии»
- ГОСТ 19138.8-75 «Тиристоры. Метод измерения удерживающего тока»
- ГОСТ 19138.9-75 «Тиристоры. Метод измерения тока в закрытом состоянии и обратного тока»
- ГОСТ 19138.10-75 «Тиристоры. Метод измерения напряжения в открытом состоянии»
|
ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания | 01.07.1975 | Введен впервые |
Область применения: Стандарт распространяется на триодные запираемые тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения импульсного запирающего тока управления импульсного запирающего напряжения управления тиристора и импульсного коэффициента запирания. |
ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.07.1975 | Действует |
|
ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | 01.07.1975 | Действует |
|
ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | 01.07.1975 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает метод измерения выпрямленного тока в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц. |
ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте | 01.07.1975 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц следующие методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте: метод сравнения; метод импедансного моста. |
ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | 01.07.1975 | Действует |
|
ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительныеи детекторные. Метод измерения шумового отношения | 01.07.1975 | Действует |
|
ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | 01.07.1975 | Действует |
|
ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | 01.07.1975 | Действует |
|
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | 01.01.1981 | Взамен |
Заменяет собой: - ГОСТ 19656.9-74 «Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные умножительные и параметрические. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты» (Сведения из перечня "Указатель государственных стандартов СССР 1980 г.", Издательство стандартов 1980)
|
ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 01.07.1989 | Взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные (далее - СВЧ) диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3 - 10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод. Заменяет собой: - ГОСТ 19656.10-75 «Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения сопротивления потерь при низком значении СВЧ мощности» (ИУС 1-89)
- ГОСТ 19656.11-75 «Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения прямого и обратного сопротивления потерь» (ИУС 1-89)
|
ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения дифференциального сопротивления | 01.07.1977 | Введен впервые |
Область применения: Стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления. |
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | Действует |
|
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Методы измерения критической частоты | 01.01.1981 | Действует |
|
ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений. |
ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | Действует |
|
ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | Действует |
|
ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения. |
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7 - 2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения. |
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | Действует |
|
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. |
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | Действует |
|
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1985 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке,технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров. Заменяет собой: - ГОСТ 20332-74 «Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
|
ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | Взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов. Заменяет собой: - ГОСТ 20398.0-74 «Транзисторы полевые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»
|
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | Действует |
|