Обозначение | Дата введения | Статус |
ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | Действует |
|
ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | Действует |
|
ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | Действует |
|
ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения Э.Д.С. шума | 01.01.1982 | Действует |
|
ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | Действует |
|
ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | Действует |
|
ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | Действует |
|
ГОСТ 20859.1-79 Приборы полупроводниковые силовые единой унифицированной серии. Общие технические условия | 01.01.1980 | Заменен |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые силовые приборы единой унифицированной серии (ЕУС) общего назначения (приборы) — диоды, триодные тиристоры, не проводящие в обратном направлении, триодные тиристоры, проводящие в обратном направлении; триодные симметричные тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10 А и более или максимально допустимые импульсные токи 100 А и более, стабилитроны и симметричные стабилитроны с максимально допустимым значением рассеиваемой мощности 15 Вт и более, ограничители напряжения и симметричные ограничители напряжения с максимально допустимым значением рассеиваемой энергии 5 Дж в более, транзисторы, предназначенные для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок.
Стандартне распространяется на приборы, работающие:
в средах с токовроводящей пылью;
в средах, содержащих едкие газы и пары, разрушающые металлы и изоляцию;
во взрывоопасной среде;
в условиях воздействия различных излучений. |
ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | Заменен в части |
Область применения: Стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Заменяет собой: |
ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения | 01.07.1984 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотопримных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик. Заменяет собой: - ГОСТ 21934-76 «Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические. Термины и определения»
- ГОСТ 22899-78 «Устройства приемные полупроводниковые фотоэлектрические. Термины и определения»
|
ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | Введен впервые |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов. |
ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.07.1988 | Взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более. Заменяет собой: - ГОСТ 23900-79 «Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры»
|
ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры | 01.07.1981 | Действует |
|
ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры | 01.07.1981 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кренмиевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров. Заменяет собой: - ГОСТ 17465-72 «Приборы полупроводниковые. Диоды и тиристоры. Основные параметры» (в части разд. 23, 24, 25)
|
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | Действует |
Заменяет собой: - ГОСТ 17465-72 «Приборы полупроводниковые. Диоды и тиристоры. Основные параметры» (в части пп. 13, 14, 15)
|
ГОСТ 24376-91 Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия | 01.01.1992 | Взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью Заменяет собой: |
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках. |
ГОСТ 24607-88 Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1990 | Взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) (далее — преобразователи) с выходными токами от 0,004 до 25 000 А, выходными напряжениями от 6 до 20 000 В и выходными частотами от 5 до 10 000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бортовые преобразователи летательных аппаратов, на преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями. Заменяет собой: |
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов. Заменяет собой: - ГОСТ 18216-72 «Диоды туннельные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 18994-73 «Стабилизаторы полупроводниковые. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 20004-74 «Диоды полупроводниковые. Электрические параметры общие. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 20005-74 «Диоды полупроводниковые. Варикапы. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 20331-74 «Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 21154-75 «Диоды полупроводниковые. Генераторы шума. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
|
ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | Действует |
|
ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1988 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки. Заменяет собой: - ГОСТ 24403-80 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров»
- ГОСТ 22274-80 «Излучатели полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров»
- ГОСТ 23562-79 «Оптопары. Термины, определения и буквенные обозначения параметров»
|
ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.01.1989 | Действует |
Область применения: Стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулей. |
ГОСТ 28167-89 Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1991 | Взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи переменного напряжения с выходными токами от 0,004 до 6300 А, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Заменяет собой: |
ГОСТ 28578-90 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания | 01.01.1991 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам). |
ГОСТ 28623-90 Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы | 01.01.1991 | Действует |
Область применения: Стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем. |
ГОСТ 28624-90 Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы | 01.01.1991 | Действует |
|
ГОСТ 28625-90 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | Действует |
Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы. |
ГОСТ 29209-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды | 01.07.1992 | Введен впервые |
Область применения: В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов:
- выпрямительные диоды, в том числе:
- лавинные выпрямительные диоды;
- выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем;
- выпрямительные диоды с быстрым переключением.
Стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. |
ГОСТ 29210-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения | 01.07.1992 | Действует |
Область применения: Стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации. |
ГОСТ 30617-98 Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия | 01.07.2002 | Действует |
Заменяет собой: |