| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1978 | утратил силу в РФ |
Название англ.: Semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки:  ГОСТ 15133-69, СТ СЭВ 2767-85, ГОСТ Р 57436-2017, ГОСТ 21934-83;ГОСТ 25066-81 |
| ГОСТ 15606-70 Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения | 01.01.1971 | отменён |
| Название англ.: Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70;ГОСТ 10863-70 |
| ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17466-72 |
| ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры | 01.07.1989 | утратил силу в РФ |
| Название англ.: Semiconductor devices. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82, СТ СЭВ 1818-86, ГОСТ Р 57439-2017, IEC 60191-1(1966);IEC 60191-2(1966) |
| ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73 |
| ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 8.010-72;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 22261-82 |
| ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.1-73, СТ СЭВ 3993-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.2-73, СТ СЭВ 4283-83, IEC 147-2;ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.3-73, СТ СЭВ 3999-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора | 01.10.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10864-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10865-68;ГОСТ 10866-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10867-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring current transfer coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току) Нормативные ссылки: ГОСТ 10870-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring output conductivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой) Нормативные ссылки: ГОСТ 10871-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for determining cut-off frequency and transition frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.9-75;ГОСТ 18604.12-77;ГОСТ 18604.25-81, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления | 01.01.1978 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Input resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11 Нормативные ссылки: ГОСТ 10868-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.11-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method of measuring noise figure at high and ultra-high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Кш на высоких и сверхвысоких частотах в диапазоне частот 1х10 в ст. минус 4 до 12,0 ГГц Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.11-76, СТ СЭВ 3996-83, IEC 60147-2;ГОСТ 8.037-81;ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 01.07.1978 | действует |
| Название англ.: Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы: измерения выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением; измерения выходной мощности и определение коэффициента полезного действия коллектора в схеме автогенератора Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | 01.07.1978 | действует |
| Название англ.: Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring coefficient modulus of inverse transmission of voltage in the circuit with general base at high frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте Нормативные ссылки: IEC 60147-2C;ГОСТ 18604.0-83;ГОСТ 18604.1-80 |
| ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока | 01.07.1978 | действует |
| Название англ.: Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring critical current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения критического тока при измерении модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте и фазы коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте Нормативные ссылки: IEC 60147-2C;ГОСТ 18604.0-83;ГОСТ 18604.9-82 |
| ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | 01.07.1979 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала Нормативные ссылки: ГОСТ 10869-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.19-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения | 01.07.1989 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.19-78, IEC 60147-2(1963);ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума: сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц; способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3996-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 13852-68, СТ СЭВ 4289-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 01.07.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя) Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров | 01.07.1986 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения Нормативные ссылки: CT CЭB 4757-85, ГОСТ 18604.0-83;ГОСТ 20003-74 |
| ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) | 01.07.1987 | действует |
| Название англ.: Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения Нормативные ссылки: IEC 147-2C;ГОСТ 18604.0-83;CT CЭB 3994-83 |
| ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-90;ГОСТ 12.1.004-91;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;СТ СЭВ 1622-79 |
| ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки Нормативные ссылки: ГОСТ 10963-64, СТ СЭВ 2769-80, IEC 60147-2B;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.3-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method of measuring of direct forward voltage and direct forward current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки Нормативные ссылки: ГОСТ 10961-64, СТ СЭВ 2769-80, IEC 60147-23;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения общей емкости диода: метод емкостно-омического делителя; мостовой метод; частотный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 10964-64, СТ СЭВ 2769-80, IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |